[发明专利]通过蚀刻来生产RFID应答器的方法

权利要求书

1.一种用于生产射频识别应答器（100）的方法，所述应答器（100）包括射频识别芯片（50）和一个或多个天线元件(10a, 10b, CA1)，

所述方法包括：

-提供由掩模层(M1 , M2)覆盖的导电薄片(70)；

-利用激光束(LB1)来加工所述掩模层(M1)以便形成所述导电薄片（70）的经加工部分(U1,U2)， 其中在所述射频识别芯片（50）已附连到所述导电薄片（70）上之后执行所述加工；以及

-蚀刻(ETCH1)所述经加工部分(U1,U2)以便在所述导电薄片（70）中形成凹槽(C1 ,C2)，

其中所述凹槽(C1 ,C2)限定所述应答器（100）的天线元件（10a）的边缘的位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：监视所述芯片（50）的位置；以及基于所述芯片（50）的检测到的位置来选择所述经加工部分(U1,U2)的位置。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，其包括：在已将所述芯片（50）附连到所述导电薄片（70）上之后利用掩模层（M2）来覆盖所述导电薄片（70）。

4.根据权利要求1 或2所述的方法，其特征在于，在将所述芯片（50）附连到所述导电薄片（70）上之前已利用第一掩模层（M1）来覆盖所述导电薄片（70）的第一侧，且其中在将所述芯片（50）附连到所述导电薄片（70）上之前已利用第二掩模层（M2）来覆盖所述导电薄片（70）的第二侧。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其包括：从与所述芯片（50）的连接元件(52a, 52b)相接触的一部分（U52）局部地移除掩模层(M1 , M2)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光束(LB1)和所述芯片（50）在所述导电薄片（70）的不同侧上。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光束(LB1)和所述芯片（50）在所述导电薄片（70）的相同侧上。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，已选择掩模层（M2）的厚度和/或所述掩模层（M2）的材料使得所述掩模层（M2）的拉伸强度小于所述导电薄片（70）的所述拉伸强度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述芯片（50）利用粘合剂(ADH1)附连到所述导电薄片（70）上，并且所述粘合剂(ADH1)也布置成在所述蚀刻(ETCH1)期间作为保护掩模而操作。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，通过利用所述激光束(LB1)的能量来加热和/或烧蚀所述掩模层(M1)来加工所述掩模层(M1, M2)以便形成所述经加工部分(U1, U2)。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，限定天线元件(10a, 10b, CA1)的形式的一个或多个经加工部分(U1,U2)的组合面积小于或等于所述天线元件（10a）的面积的50%，有利地小于所述天线元件（10a）的面积的20%。

12.一种用于生产射频识别应答器（100）的设备（200），所述应答器（100）包括射频识别芯片（50）和一个或多个天线元件(10a, 10b, CA1)，所述设备（200）包括：

-保持器(201 , 300)，其用于保持利用掩模层(M1 , M2)覆盖的导电薄片（70），

-激光器（250），其布置成在已将所述射频识别芯片（50）附连到所述导电薄片（70）上之后通过利用激光束(LB1)对所述掩模层(M1, M2)进行加工来形成所述导电薄片（70）的经加工部分(U1,U2)；以及

-蚀刻单元(MDU8)，其布置成通过蚀刻所述经加工部分(U1,U2)来在所述导电薄片（70）中形成凹槽(C1 ,C2)，其中所述凹槽(C1，C2)限定所述应答器（100）的天线元件（10a）的边缘。

13.根据权利要求12的设备（200），其特征在于，其包括：监视单元(MDU7)，其布置成检测所述芯片（50）的位置，其中所述设备（200）布置成形成所述经加工部分(U1,U2)到根据所述芯片（50）的所述检测位置所确定的位置。