[发明专利]CMOS纳米线结构有效
| 申请号： | 201180075765.6 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104011849A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | S·金;K·J·库恩;T·加尼;A·S·默西;A·卡佩拉尼;S·M·塞亚;R·里奥斯;G·A·格拉斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了互补金属氧化物半导体纳米线结构。例如，第一半导体器件包含设置于基底以上的第一纳米线。所述第一纳米线在所述基底以上的第一距离处具有中点，并且所述第一纳米线包含分离的沟道区和在所述分离的沟道区的任一侧上的源区和漏区。第一栅电极叠层完全围绕所述第一纳米线的所述分离的沟道区。所述半导体结构还含第二半导体器件。所述第二半导体器件包含设置于所述基底以上的第二纳米线。所述第二纳米线在所述基底以上的第二距离处具有中点，并且所述第二纳米线包括分离的沟道区和在所述分离的沟道区的任一侧上的源区和漏区。所述第一距离不同于所述第二距离。第二栅电极叠层完全围绕所述第二纳米线的所述分离的沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 纳米 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一半导体器件，包括：设置于基底以上的第一纳米线，所述第一纳米线在所述基底上方的第一距离处具有中点，并且所述第一纳米线包括分离的沟道区和在所述分离的沟道区的任一侧上的源区和漏区；以及第一栅电极叠层，完全围绕所述第一纳米线的所述分离的沟道区；以及第二半导体器件，包括：设置于所述基底以上的第二纳米线，所述第二纳米线在所述基底上方的第二距离处具有中点，并且所述第二纳米线包括分离的沟道区和在所述分离的沟道区的任一侧上的源区和漏区，所述第一距离不同于所述第二距离；以及第二栅电极叠层，完全围绕所述第二纳米线的所述分离的沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
