[发明专利]半导体发光器件

摘要

本发明涉及一种半导体发光器件，在本发明的一个实施例中，该半导体发光器件包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，其形成在n型半导体层上表面上的与第一区域不同的第二区域上，n型电极与n型半导体层电连接并且配备有n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，其形成在p型半导体层上，p型电极与p型半导体层电连接并且配备有p型电极焊盘和p型电极指。当使用本发明所述的半导体发光器件时，n型电极与p型电极之间的距离是恒定的并且可以最大程度地减小集中在电极的特定区域处的电流。

主权项

一种半导体发光器件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接并且包括n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘和p型电极指，其中，所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层构成发光结构，所述n型电极焊盘布置在当从所述p型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述p型电极焊盘布置成与所述发光表面的一个边缘相邻，所述第一n型电极指具有这样的形状：所述第一n型电极指从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述p型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一n型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开，并且所述第二n型电极指具有这样的形状：所述第二n型电极指从所述n型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述p型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲，并且所述p型电极指具有这样的形状：所述p型电极指从所述p型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述n型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一n型电极指的从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。