[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

n型半导体层；

有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；

n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接并且包括n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及

p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘和p型电极指，

其中，所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层构成发光结构，所述n型电极焊盘布置在当从所述p型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述p型电极焊盘布置成与所述发光表面的一个边缘相邻，

所述第一n型电极指具有这样的形状：所述第一n型电极指从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述p型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一n型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开，并且所述第二n型电极指具有这样的形状：所述第二n型电极指从所述n型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述p型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲，并且

所述p型电极指具有这样的形状：所述p型电极指从所述p型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述n型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一n型电极指的从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。

2.一种半导体发光器件，包括：

n型半导体层；

有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；

n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接并且包括n型电极焊盘和n型电极指；以及

p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘、第一p型电极指和第二p型电极指，

其中，所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层构成发光结构，所述p型电极焊盘布置在当从所述p型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部，并且所述n型电极焊盘布置成与所述发光表面的一个边缘相邻，

所述第一p型电极指具有这样的形状：所述第一p型电极指从所述p型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述n型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一p型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开，并且所述第二p型电极指具有这样的形状：所述第二p型电极指从所述p型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述n型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲，并且

所述n型电极指具有这样的形状：所述n型电极指从所述n型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述p型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一p型电极指的从所述p型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，所述发光表面具有圆形形状或多边形形状。

4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，所述发光表面具有矩形形状。

5.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，所述n型电极焊盘和所述p型电极焊盘位于穿过所述发光表面中心的概念性直线上。

6.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，所述n型电极和所述p型电极关于穿过所述发光表面中心的概念性直线具有对称性。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述p型电极指的端部布置在这样的位置处，该位置与所述第二n型电极指向着所述p型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二n型电极指分开。

8.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述n型电极指的端部布置在这样的位置处，该位置与所述第二p型电极指向着所述n型电极焊盘弯曲的位置相对应并且与所述第二p型电极指分开。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第二n型电极指向着所述p型电极焊盘弯曲的部分与所述p型电极指的一部分平行。