[发明专利]半导体发光器件

说明书

技术领域

本公开涉及半导体发光器件。

背景技术

半导体发光器件是能够在对其施加电流时在p型半导体层与n半导体层之间的结合处通过电子-空穴复合而产生各种颜色的光的半导体器件。因为这种半导体发光器件与基于灯丝的发光元件相比具有积极的特性，例如相对较长的寿命、相对较低的功耗、卓越的初始驱动特性、高抗震性等，所以对这种半导体发光器件的需求一直上升。最近，作为能够发出具有短波长的蓝光的半导体器件，第III族氮化物半导体一直比较突出。

可以在例如蓝宝石衬底或碳化硅（SiC）衬底之类的特定的生长衬底上形成使用这种第III族氮化物半导体构成发光器件的氮化物单晶。然而，当使用例如蓝宝石衬底等绝缘衬底时，在对齐电极方面存在明显的限制。例如，在根据现有技术的氮化物半导体发光器件的情况下，因为电极通常沿着水平方向对齐，因此可能会产生窄电流。发光器件的操作电压Vf的电平可能会由于这种窄电流而增加，从而降低了电流效率，并且器件会容易受到静电放电的损坏。在这种情况下，为了使电流均匀分布在整个发光表面上，已经开始尝试将n型电极和p型电极分别分为电极焊盘和电极指，然后交替布置。然而，即使在电极焊盘和电极指均匀分布的情况下，电流也可能会集中在电极焊盘的不同部分上。因此，需要一种能够在水平电极结构中明显减少电流集中的方案。

发明内容

[技术问题]

本公开的示例性实施例可以提供一种半导体发光器件，这种半导体发光器件能够明显减少电流集中在电极的特定区域的现象并且通过改进电极结构降低驱动电压的电平。

[技术方案]

根据本公开的示例性实施例，一种半导体发光器件可以包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，所述有源层和所述p型半导体层布置在与所述n型半导体层的上表面的一部分相对应的第一区域中；n型电极，所述n型电极布置在所述n型半导体层上的与所述第一区域不同的第二区域中，所述n型电极与所述n型半导体层电连接并且包括n型电极焊盘、第一n型电极指和第二n型电极指；以及p型电极，所述p型电极布置在所述p型半导体层上，所述p型电极与所述p型半导体层电连接并且包括p型电极焊盘和p型电极指。所述n型半导体层、所述有源层和所述p型半导体层可以构成发光结构。所述n型电极焊盘可以布置在当从所述p型半导体层上方观看所述发光结构时提供的发光表面的内部。所述p型电极焊盘可以布置成与所述发光表面的一个边缘相邻。所述第一n型电极指可以具有这样的形状：所述第一n型电极指从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的与所述p型电极焊盘所在边缘相对的一个边缘，然后所述第一n型电极指在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开。所述第二n型电极指可以具有这样的形状：所述第二n型电极指从所述n型电极焊盘在两个不同方向上延伸，然后在两个方向上延伸的部分分别向着所述p型电极焊盘所在的所述发光表面的边缘弯曲。所述p型电极指可以具有这样的形状：所述p型电极指从所述p型电极焊盘在沿着所述发光表面的边缘的两个方向上分开延伸，绕过所述n型电极焊盘所在的位置，然后向着所述第一n型电极指的从所述n型电极焊盘延伸到所述发光表面的边缘的部分弯曲。