[发明专利]边缘圆化的场效应晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 201180067895.5 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103380488B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | S·房;T-S·陈 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 张瑞,郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例是直接涉及场效应晶体管的栅极侧壁工程。该技术包含区块介电区的形成及其表面的氮化。在该区块介电区的氮化后，在其上形成栅极区且氧化该栅极区的侧壁以圆化栅极尖角及减少在该栅极角的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造存储器器件的方法，其特征在于，包括：通过沉积氮化物层、在该氮化物层上形成牺牲氧化物层、回蚀刻该牺牲氧化物层和部分的该氮化物层以及氧化该氮化物层的剩余部分形成氧氮化物或硅氧氮化物层，来形成电荷捕获区和在该电荷捕获区上的区块介电区；氮化该区块介电区的表面；在该被氮化区块介电区上形成栅极区；以及氧化该栅极区的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
