[发明专利]边缘圆化的场效应晶体管及制造方法

权利要求书

1.一种方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成穿隧介电区；

在该穿隧介电区上形成电荷补获区；

在该电荷补获区上形成区块介电区；

氮化该区块介电区的表面；

在该被氮化区块介电区上形成栅极区；以及

氧化该栅极区，其中，借由该被氮化区块介电区而抑制该栅极区的边缘侵蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：沿着该栅极区氧化该电荷补获区。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该电荷补获区包括沉积富硅氮化物层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成该电荷补获区包括从该富硅氮化物层的部分形成硅氧氮化物层。

5.一种方法，其特征在于，包括：

在电荷补获区上形成区块介电区；

氮化该区块介电区的表面；

在该被氮化区块介电区上形成栅极区；以及

氧化该栅极区及电荷补获区的侧壁。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成该电荷补获区包括沉积富硅氮化物层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成该区块介电区包括从该富硅氮化物层的部分形成硅氧氮化物层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，氮化该区块介电区的表面包括在炉退火中将该区块介电区的表面曝露于氮。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，借由该区块介电区的氮化而抑制该栅极区的边缘侵蚀。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，借由氧化物植入该栅极区的该侧壁而抑制该栅极区的边缘侵蚀。

11.一种集成电路存储器单元，其特征在于，包括：

漏极区；

源极区；

信道区，其置在该源极及漏极区之间；

穿隧介电区，其置在该信道区及电荷补获区之间；

区块介电区，其置在该电荷补获区及栅极区之间，其中，该区块介电区邻接该栅极区的表面被氮化；

氧化物，其置在该电荷补获区及该栅极区的侧壁上，其中，借由该被氮化的区块介电区的表面而抑制从该氧化物边缘侵蚀进该栅极区。

12.根据权利要求11所述的集成电路存储器单元，其特征在于：

该漏极区包括经第一类型掺杂物重掺杂的硅；

该源极区包括经该第一类型掺杂物重掺杂的硅；以及

该信道区包括经第二类型掺杂物适当掺杂的硅。

13.根据权利要求12所述的集成电路存储器单元，其特征在于：

该第一类型掺杂物包括磷或砷；以及

该第二类型掺杂物包括硼。

14.根据权利要求11所述的集成电路存储器单元，其特征在于，该穿隧介电区包括硅氧化物。

15.根据权利要求14所述的集成电路存储器单元，其特征在于，该电荷补获区包括富硅氮化物。

16.根据权利要求15所述的集成电路存储器单元，其特征在于，该区块介电区包括硅氧氮化物。

17.根据权利要求16所述的集成电路存储器单元，其特征在于，该栅极区包括多晶硅。

18.根据权利要求11所述的集成电路存储器单元，其特征在于，该栅极区及该信道区之间的等效介电厚度在该栅极区的中心及边缘是实质相同的。

19.根据权利要求18所述的集成电路存储器单元，其特征在于，该集成电路存储器单元的编程-擦除速度借由该栅极区抑制的边缘侵蚀及在该栅极区及该信道区之间在该栅极区的中心及边缘实质上相同的该等效介电厚度而增加。

20.根据权利要求18所述的集成电路存储器单元，其特征在于，该集成电路存储器单元的容受力借由该栅极区抑制的边缘侵蚀及在该栅极区及该信道区之间在该栅极区的中心及边缘实质上相同的该等效介电厚度而增加。