[发明专利]横向型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180066954.7 | 申请日： | 2011-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103348482A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 江口博臣;大川峰司;小野木淳士 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向型半导体装置及其制造方法，所述横向型半导体装置被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上。上述横向型半导体装置的特征在于，在埋入氧化膜（200）上具备半导体层，所述半导体层包括体区（107）、和与该体区（107）的侧面相接的漂移区（109）。此外，上述横向型半导体装置在体区（107）与漂移区（109）的界面处具有第一沟槽，所述第一沟槽朝向埋入氧化膜（200）而未到达该埋入氧化膜（200）。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向型半导体装置，其被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上，其特征在于，在埋入氧化膜（200）上具备半导体层，所述半导体层包括体区（107）、和与该体区（107）的侧面相接的漂移区（109），所述横向型半导体装置在所述体区（107）与所述漂移区（109）的界面处具有第一沟槽，所述第一沟槽朝向所述埋入氧化膜（200）而未到达该埋入氧化膜（200）。
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