[发明专利]横向型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种横向型半导体装置，其被构成在绝缘体上硅（SOI）基板上，其特征在于，

在埋入氧化膜（200）上具备半导体层，所述半导体层包括体区（107）、和与该体区（107）的侧面相接的漂移区（109），

所述横向型半导体装置在所述体区（107）与所述漂移区（109）的界面处具有第一沟槽，所述第一沟槽朝向所述埋入氧化膜（200）而未到达该埋入氧化膜（200）。

2.如权利要求1所述的横向型半导体装置，其特征在于，

从所述第一沟槽的底部起至所述埋入氧化膜（200）为止的距离的值，小于所述漂移区（109）的厚度的值，所述漂移区（109）的厚度的值是用从所述埋入氧化膜（200）表面起至该漂移区（109）表面为止的距离的值来表示的。

3.如权利要求2所述的横向型半导体装置，其特征在于，

在所述体区（107）内，以与所述沟槽的侧面相接的方式而形成有发射区（102），所述发射区（102）未到达埋入氧化膜（200），

从所述埋入氧化膜（200）表面起至所述发射区（102）为止的距离，小于从所述第一沟槽的底部起至所述埋入氧化膜（200）为止的距离的值。

4.如权利要求2所述的横向型半导体装置，其特征在于，

在所述漂移区（109）内形成有载流子积蓄层区（114），所述载流子积蓄层区（114）与所述第一沟槽的底部以及所述体区（107）的侧面相接，

所述载流子积蓄层区（114）的杂质浓度高于所述漂移区（109）的杂质浓度。

5.如权利要求1所述的横向型半导体装置，其特征在于，

还具有第二沟槽，所述第二沟槽贯穿硅的局部氧化（LOCOS）氧化膜（105）并到达所述埋入氧化膜（200），所述LOCOS氧化膜（105）通过从所述半导体层的表面起以预定的厚度突出以及掩埋的方式而形成，

所述第一沟槽从所述半导体层中未形成有所述LOCOS氧化膜（105）的位置起形成。

6.一种横向型半导体装置的制造方法，所述横向型半导体装置被构成在SOI基板上，其中，

所述横向型半导体装置具备半导体层，所述半导体层包括埋入氧化膜（200）和漂移区（109），

所述制造方法包括：

将LOCOS氧化膜（105）蚀刻至预先确定的深度为止的蚀刻工序，所述LOCOS氧化膜（105）通过从所述半导体层的表面起以预定的厚度突出以及掩埋的方式而形成；

以相同的挖掘速度同时形成第一沟槽和第二沟槽，并在所述第二沟槽到达了所述埋入氧化膜（200）的时间点停止所述第一沟槽以及所述第二沟槽的形成的沟槽形成工序，其中，所述第一沟槽从所述漂移区（109）朝向所述埋入氧化膜（200）而形成，所述第二沟槽从在所述蚀刻工序中被实施了蚀刻的位置起朝向所述埋入氧化膜（200）而形成。