[发明专利]具有降低的接通电阻的半导体装置有效
| 申请号： | 201180066235.5 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103339730A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 渠宁;A·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，其具有位于第一导电类型的高度掺杂的衬底上的第一导电类型的外延层、施加到所述外延层中的第二导电类型的层和设置在第二导电类型的层的表面上的高度掺杂的第二导电类型的层。在第二导电类型的层和第一导电类型的高度掺杂的衬底之间设置有外延层区域中的多个彼此平行地设置的肖特基接触部，其在浮动状态中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 接通 电阻 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有位于第一导电类型（n+）的高度掺杂的衬底（1）上的第一导电类型（n）的外延层（2）、施加到所述外延层（2）中的第二导电类型（p）的层（6）和设置在所述第二导电类型的层（6）的表面上的高度掺杂的第二导电类型（p+）的层（7），其特征在于，在所述第二导电类型（p）的层（6）和所述第一导电类型的高度掺杂的衬底（1）之间设置有多个彼此平行地设置的肖特基接触部（70，12）。
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