[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180064898.3 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103329273A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 美浓浦优一;冈本直哉 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/28;H01L21/338;H01L21/8222;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/26;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/861;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中设置有半导体层（1）、和与半导体层（1）肖特基接合的肖特基电极（2）。在肖特基电极（2）中包含有：金属部（2a），其包含与半导体层（1）肖特基接合的金属；和氮化物部（2b），其形成于金属部（2a）的周围，包含上述金属的氮化物，并与半导体层（1）肖特基接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体层；和与所述半导体层肖特基接合的肖特基电极，所述肖特基电极具有：金属部，其包含与所述半导体层肖特基接合的金属；和氮化物部，其形成于所述金属部的周围，包含所述金属的氮化物，并与所述半导体层肖特基接合。
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