[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体层；和

与所述半导体层肖特基接合的肖特基电极，

所述肖特基电极具有：

金属部，其包含与所述半导体层肖特基接合的金属；和

氮化物部，其形成于所述金属部的周围，包含所述金属的氮化物，并与所述半导体层肖特基接合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层的所述氮化物部所接合的部分的电阻比所述半导体层的所述金属部所接合的部分的电阻高。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属部所包含的金属是Ti或者Ta。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层包含氮化物半导体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层具有：

电子传输层，和

形成于所述电子传输层上方的电子供给层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在基板上方设置有多个所述肖特基电极，

具有连接多个所述肖特基电极的布线。

7.一种电源装置，其特征在于，

具有半导体装置，

所述半导体装置具有：

半导体层；和

与所述半导体层肖特基接合的肖特基电极，

所述肖特基电极具有：

金属部，其包含与所述半导体层肖特基接合的金属；和

氮化物部，其形成于所述金属部的周围，包含所述金属的氮化物，并与所述半导体层肖特基接合。

8.根据权利要求7所述的电源装置，其特征在于，

所述半导体层的所述氮化物部所接合的部分的电阻比所述半导体层的所述金属部所接合的部分的电阻高。

9.根据权利要求7所述的电源装置，其特征在于，

所述金属部所包含的金属是Ti或者Ta。

10.根据权利要求7所述的电源装置，其特征在于，

所述半导体层包含氮化物半导体。

11.根据权利要求7所述的电源装置，其特征在于，

所述半导体层具有：

电子传输层；和

形成于所述电子传输层上方的电子供给层。

12.根据权利要求7所述的电源装置，其特征在于，

在基板上方设置有多个所述肖特基电极，

具有连接多个所述肖特基电极的布线。

13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

形成与半导体层肖特基接合的金属膜的工序；和

将所述金属膜的周边部氮化，由所述金属膜形成与所述半导体层肖特基接合的金属部和位于所述金属部的周围且与所述半导体层肖特基接合的氮化物部的工序。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述金属部和所述氮化物部的工序具有进行针对所述金属膜的周边部的氮气的离子注入的工序或者将所述金属膜的周边部曝露在氮气等离子体下的工序。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具有将所述半导体层的所述氮化物部所接合的部分的电阻提高到比所述半导体层的金属部所接合的部分的电阻高的工序。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将提高所述半导体层的所述氮化物部所接合的部分的电阻的工序与形成所述金属部和所述氮化物部的工序并行进行。

17.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属膜包含Ti或者Ta。

18.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体层包含氮化物半导体。

19.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体层具有电子传输层、和形成于所述电子传输层上方的电子供给层。

20.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述金属膜的工序中，在基板上方形成多个金属膜，

具有形成连接由所述多个金属膜形成的多个所述金属部以及氮化物部的布线的工序。