[发明专利]电子器件有效
| 申请号： | 201180062771.8 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103283026A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | M·杰克逊;C·罗穆斯黛尔;J·卓迈尔 | 申请（专利权）人： | 造型逻辑有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源-漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层提供所述晶体管阵列中的电功能，又限定开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件衬底与在所述下层级处的所述图案化导电层之间的粘接强度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源‑漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层提供所述晶体管阵列中的电功能，又限定开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件衬底与在所述下层级处的所述图案化导电层之间的粘接强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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