[发明专利]电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及包括晶体管阵列的电子器件。在一实施例中，本发明涉及包括形成在有机衬底上的晶体管阵列的电子器件。

背景技术

包括塑料、聚合物基底以及在聚合物基底的上表面上的有机平坦化层的器件衬底被用于制造具有改善的柔性的电子器件。国际专利申请No.PCT/EP2010/057863意识到了在这种器件衬底的有机表面与薄膜晶体管阵列的底部导电层之间实现良好粘合的挑战，并且公开了在所述有机表面与所述底部导电层之间提供中间铝氮化物层的技术。

本发明的发明人已经意识到了进一步改善该附加中间层的功能性的挑战。

发明内容

提供一种包括晶体管阵列的器件，包括：图案化导电层，位于衬底上的层堆叠中的下和上层级处，所述图案化导电层定义所述晶体管阵列的栅极导体和源-漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层在所述晶体管阵列中提供电功能，又定义开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件衬底与所述下层级处的图案化导电层之间的粘合强度。

在一实施例中，所述另一图案化导电层定义导电元件的阵列，该导电元件的阵列用于经由所述电介质层与上面的在所述下层级处的导电元件电容性耦合。

在一实施例中，所述另一图案化导电层定义导电元件的阵列，该导电元件的阵列用于经由所述电介质层与所述下层级导电层的在所述下层级导电层内连接到漏电极的部分电容性耦合。

在一实施例中，所述下层级（level）导电层的在所述下层级导电层内连接到漏电极的部分提供用于到更高层级的相应导电层间链接的基底。

在一实施例中，所述另一图案化导电层定义用于晶体管阵列的另一些栅极导体。

在一实施例中，所述晶体管阵列包括底栅极晶体管和顶栅极晶体管二者，在底栅极晶体管中，所述栅极导体形成在源-漏电极之下，在顶栅极晶体管中，所述栅极导体形成在源-漏电极之上；其中所述另一图案化导电层定义用于底栅极晶体管的栅极导体。

在一实施例中，所述器件衬底包括有机上表面。

在一实施例中，所述器件衬底包括以有机平坦化层涂敷的有机聚合物支承体。

在一实施例中，所述电介质层包括无机材料。

在一实施例中，所述堆叠还包括：有机材料层，用于提供在源-漏电极之间的半导体沟道；以及栅极电介质元件，在所述半导体沟道与上面栅极导体之间。

在一实施例中，所述电介质层具有大于约5的介电常数。

在一实施例中，所述电介质层具有约5至约9.3之间的介电常数。

附图说明

以下参照附图仅以示例方式详细描述本发明的实施例，附图中：

图1的（a）是根据本发明第一实施例的TFT阵列的一部分的金属层的平面图；

图1的（b）示出沿图1的（a）中的线C-C的横截面；

图2的（a）是根据本发明第二实施例的混合TFT阵列的一部分的金属层的平面图；

图2的（b）示出沿图2的（a）中的线A-A的横截面；

图2的（c）示出沿图2的（a）中的线B-B的横截面。

具体实施方式

图1和图2示出根据本发明第一实施例和第二实施例的TFT阵列。TFT阵列例如可用作显示器件的背板以控制包括光学显示介质（例如液晶显示介质或电泳显示介质）的前板。

在第一实施例和第二实施例二者中，器件衬底材料片材14经由粘接元件（未示出）（例如包括一个或更多丙烯酸粘接层的粘接元件）临时固定到刚性玻璃载体（未示出）。器件衬底材料片材14提供多个器件衬底，该多个器件衬底稍后在完成在载体上原位处理器件衬底之后从器件衬底材料片材14切割而成。刚性载体并不形成产品器件的部分，粘接元件包括粘接剂制成的一个或更多层，粘接剂的粘性可通过加热或UV辐照动作而减小以允许在制造工艺的稍后阶段从载体释放器件衬底。

器件衬底材料片材14包括例如用平坦化层涂敷的聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）的膜。用于此类器件的塑料衬底的另一示例是用平坦化层涂敷的聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）的膜。