[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源-漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层提供所述晶体管阵列中的电功能，又限定开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件衬底与在所述下层级处的所述图案化导电层之间的粘接强度。

2.如权利要求1所述的器件，其中，所述另一图案化导电层限定导电元件的阵列以用于经由所述电介质层与上面的在所述下层级处的导电元件电容性耦合。

3.如权利要求2所述的器件，其中，所述另一图案化导电层限定导电元件的阵列以用于经由所述电介质层与所述下层级导电层的在所述下层级导电层内连接到漏电极的部分电容性耦合。

4.如权利要求3所述的器件，其中，所述下层级导电层的在所述下层级导电层内连接到漏电极的所述部分提供用于到更高层级的相应导电层间链接的基底。

5.如权利要求1所述的器件，其中，所述另一图案化导电层还限定用于所述晶体管阵列的栅极导体。

6.如权利要求5所述的器件，其中，所述晶体管阵列包括底栅晶体管和顶栅晶体管二者，在底栅晶体管中，栅极导体形成在源-漏电极之下，在顶栅晶体管中，栅极导体形成在源-漏电极之上；其中所述另一图案化导电层限定用于底栅晶体管的栅极导体。

7.如任一前述权利要求所述的器件，其中，所述器件衬底包括有机上表面。

8.如权利要求7所述的器件，其中，所述器件衬底包括用有机平坦化层涂敷的有机聚合物支承体。

9.如任一前述权利要求所述的器件，其中，所述电介质层包括无机材料。

10.如任一前述权利要求所述的器件，其中，所述堆叠还包括：有机材料层，用于提供源-漏电极之间的半导体沟道；以及栅极电介质元件，在所述半导体沟道与上面的栅极导体之间。

11.如任一前述权利要求所述的器件，其中，所述电介质层具有大于约5的介电常数。

12.如权利要求11所述的器件，其中，所述电介质层具有大约5至大约9.3之间的介电常数。