[发明专利]具有高浓度硼掺杂锗的晶体管有效
| 申请号： | 201180062124.7 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103270599A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | A·S·默西;G·A·格拉斯;T·加尼;R·皮拉里塞泰;N·慕克吉;J·T·卡瓦列罗斯;R·科特利尔;W·拉赫马迪;M·Y·刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于形成具有高浓度硼掺杂锗的源极和漏极区的晶体管器件的技术。在一些实施例中，在源极和漏极区及其对应的尖端区中使用选择性外延沉积提供原位硼掺杂锗，或者可替换地，覆盖有重硼掺杂锗层的硼掺杂硅锗。在一些此类情况下，锗浓度例如可以超过50原子%，并高达100原子％，硼浓度例如可以超过1E20cm-3。提供分级的锗和/或硼浓度的缓冲部可以用于更好地连接不同的层。在不使尖端陡度降级的情况下，在外延-金属分界面的掺杂在锗中的硼的浓度有效地降低了寄生电阻。这些技术例如可以体现在平面或非平面晶体管器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浓度 掺杂 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：具有沟道区的衬底；在所述沟道区上方的栅极电极，其中，在所述栅极电极与所述沟道区之间提供了栅极电介质层，并且在所述栅极电极的侧面上提供了间隔体；以及形成于所述衬底中且与所述沟道区相邻的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的每一个都包括尖端区，所述尖端区在所述栅极电介质层和/或对应的一个所述间隔体下方延伸，其中，所述源极区和所述漏极区包括硼掺杂锗层，所述硼掺杂锗层具有超过50原子％的锗浓度和超过1E20cm‑3的硼浓度。
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