[发明专利]具有高浓度硼掺杂锗的晶体管

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

具有沟道区的衬底；

在所述沟道区上方的栅极电极，其中，在所述栅极电极与所述沟道区之间提供了栅极电介质层，并且在所述栅极电极的侧面上提供了间隔体；以及

形成于所述衬底中且与所述沟道区相邻的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的每一个都包括尖端区，所述尖端区在所述栅极电介质层和/或对应的一个所述间隔体下方延伸，其中，所述源极区和所述漏极区包括硼掺杂锗层，所述硼掺杂锗层具有超过50原子％的锗浓度和超过1E20cm^-3的硼浓度。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述器件是平面或FinFET PMOS晶体管中的一个。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括金属-锗化物源极接触部和金属-锗化物漏极接触部。

4.根据权利要求1所述的器件，进一步包括在源极区和漏极区之上的层间电介质。

5.根据权利要求1所述的器件，所述器件进一步包括：

在所述衬底与所述硼掺杂锗层之间的缓冲部。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述缓冲部的锗浓度被分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过95原子％的高浓度。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述高浓度反映纯锗。

8.根据权利要求5所述的器件，其中，所述缓冲部的硼浓度被分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过1E20cm^-3的高浓度。

9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述硼掺杂锗层具有包括硼掺杂硅锗部分和位于该硼掺杂硅锗部分上的硼掺杂锗帽层的双层结构。

10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述硼掺杂硅锗部分的锗浓度被分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过50原子％的高浓度，并且所述硼掺杂锗帽层具有超过95原子％的锗浓度。

11.根据权利要求9所述的器件，其中，所述硼掺杂硅锗部分的硼浓度被分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过1E20cm^-3的高浓度。

12.根据权利要求9所述的器件，其中，所述硼掺杂硅锗部分具有固定的锗浓度，并且所述器件进一步包括在所述硼掺杂硅锗部分与所述硼掺杂锗帽层之间的缓冲部，所述缓冲部的锗浓度被分级为从与所述硼掺杂硅锗部分相容的基准级别浓度到超过50原子％的高浓度，并且所述缓冲部的硼浓度被分级为从与所述硼掺杂硅锗部分相容的基准级别浓度到超过1E20cm^-3的高浓度。

13.根据权利要求9所述的器件，其中，所述晶体管具有小于100Ohm*um的Rext值。

14.一种晶体管器件，包括：

具有沟道区的衬底；

在所述沟道区上方的栅极电极，其中，在所述栅极电极与所述沟道区之间提供了栅极电介质层，并且在所述栅极电极的侧面上提供了间隔体；

形成于所述衬底中且与所述沟道区相邻的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的每一个都包括尖端区，所述尖端区在所述栅极电介质层和/或对应的一个所述间隔体下方延伸，其中，所述源极区和所述漏极区包括硼掺杂锗层，所述硼掺杂锗层具有超过50原子％的锗浓度和超过2E20cm^-3的硼浓度；以及

金属-锗化物源极接触部和金属-锗化物漏极接触部。

15.根据权利要求14所述的器件，所述器件进一步包括：

在所述衬底与所述硼掺杂锗层之间的缓冲部，其中，所述缓冲部的锗浓度被分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过95原子％的高浓度，并且所述缓冲部的硼浓度被分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过2E20cm^-3的高浓度。

16.根据权利要求14所述的器件，其中，所述硼掺杂锗层具有包括硼掺杂硅锗部分和位于该硼掺杂硅锗部分上的硼掺杂锗帽层的双层结构。

17.根据权利要求16所述的器件，其中，所述硼掺杂硅锗部分的锗浓度被分级为从与所述衬底相容的基准级别浓度到超过50原子％的高浓度，并且所述硼掺杂锗帽层具有超过95原子％的锗浓度。