[发明专利]安装挠曲接触件有效
| 申请号： | 201180061504.9 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103328372A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·C·古铁雷斯;安克·贾殷 | 申请（专利权）人： | 数位光学MEMS有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种装置，其可包括由第一半导体材料形成的挠曲。第一沟槽可形成在所述挠曲中。所述第一沟槽可将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分。氧化物层可形成在所述第一沟槽中。所述氧化物层可在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸。第二半导体材料可形成在所述氧化物层上。所述第一沟槽及所述氧化物层可协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 安装 挠曲 接触 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：挠曲，其由第一半导体材料形成；第一沟槽，其形成在所述挠曲中，且将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分；氧化物层，其形成在所述第一沟槽中，且在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸；第二半导体材料，其形成在所述氧化物层上；且其中所述第一沟槽及所述氧化物层协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。
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