[发明专利]安装挠曲接触件

权利要求书

1.一种装置，其包括：

挠曲，其由第一半导体材料形成；

第一沟槽，其形成在所述挠曲中，且将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分；

氧化物层，其形成在所述第一沟槽中，且在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸；

第二半导体材料，其形成在所述氧化物层上；且

其中所述第一沟槽及所述氧化物层协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二半导体材料促进到所述挠曲的任一侧的电接触。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一沟槽是实质上垂直于所述挠曲的长度而形成。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一半导体材料是单晶硅，且所述第二半导体材料是多晶硅。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一沟槽是通过深反应性离子蚀刻DRIE工艺而形成。

6.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括衬垫，所述衬垫由单晶硅构成，且形成在所述第一部分上。

7.根据权利要求6所述的装置，其进一步包括：

第二沟槽，其穿过所述衬垫而形成；

氧化物层，其形成在所述第二沟槽内；及

多晶硅，其形成在所述氧化物层上，且从所述衬垫的上表面延伸到所述衬垫的底表面。

8.根据权利要求7所述的装置，其进一步包括与所述多晶硅电连通的金属接触件。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述金属接触件形成在所述衬垫上。

10.一种电子装置，其包括根据权利要求1所述的装置。

11.一种系统，其包括：

外部框架；

致动器，其形成到所述外部框架；

挠曲，其由第一半导体材料形成，且形成到所述外部框架；

第一沟槽，其形成在所述挠曲中，且将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分；

氧化物层，其形成在所述第一沟槽中，且在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸；

第二半导体材料，其形成在所述氧化物层上；且

其中所述第一沟槽及所述氧化物层协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述第二半导体材料促进到所述挠曲的任一侧的电接触。

13.根据权利要求11所述的系统，其中所述第一沟槽是实质上垂直于所述挠曲的长度而形成。

14.根据权利要求11所述的系统，其中所述第一半导体材料是单晶硅，且所述第二半导体材料是多晶硅。

15.根据权利要求11所述的系统，其中所述第一沟槽是通过深反应性离子蚀刻DRIE工艺而形成。

16.根据权利要求11所述的系统，其进一步包括衬垫，所述衬垫由单晶硅构成，且形成在所述第一部分上。

17.根据权利要求16所述的系统，其进一步包括：

第二沟槽，其穿过所述衬垫而形成；

氧化物层，其形成在所述第二沟槽内；及

多晶硅，其形成在所述氧化物层上，且从所述衬垫的上表面延伸到所述衬垫的底表面。

18.根据权利要求17所述的系统，其进一步包括与所述多晶硅电连通的金属接触件。

19.根据权利要求18所述的系统，其中所述金属接触件形成在所述衬垫上。

20.一种电子装置，其包括根据权利要求11所述的系统。

21.一种方法，其包括：

形成挠曲；

在所述挠曲内形成沟槽；

在所述沟槽内形成氧化物层；及

在所述氧化物层上形成导电材料。

22.根据权利要求21所述的系统，其中：

所述形成挠曲包括形成由第一半导体材料构成的挠曲；且

所述在所述氧化物层上形成导电材料包括形成由第二半导体材料构成的导电材料。

23.根据权利要求21所述的系统，其中所述导电材料促进到所述挠曲的任一侧的电接触。