[发明专利]安装挠曲接触件

说明书

相关申请案的交叉参考

本专利申请案主张2010年11月15日申请的第12/946,466号美国非临时专利申请案的优先权，且此申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及半导体制造技术，且更特定来说，涉及例如适宜用于致动器及其它装置中的微机电系统(MEMS)制造技术。

背景技术

用于小型相机及其它装置中的致动器是众所周知的。此些致动器通常包括音圈，其用于移动透镜，以聚焦、变焦或光学图像稳定。

小型相机用于多种不同电子装置中。例如，小型相机通常用于蜂窝式电话、膝上型计算机及监视装置中。小型相机可具有许多其它应用。

常常期望减小小型相机的大小。随着电子装置之大小持续减小，小型相机(其是此些电子装置之部分)的大小通常亦必须减小。可经由使用微机电系统(MEMS)制造技术而促进所述小型相机的大小上的缩减。例如，微机电系统(MEMS)制造技术可用于促进制造更小的致动器及类似物。

发明内容

根据实施例，一种装置可包括由第一半导体材料形成的挠曲。第一沟槽可形成在所述挠曲中。所述第一沟槽可将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分。氧化物层可形成在所述第一沟槽中。所述氧化物层可在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸。第二半导体材料可形成在所述氧化物层上。所述第一沟槽及所述氧化物层可协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。

根据实施例，一种系统可包括外部框架及形成到所述外部框架的致动器。挠曲可由第一半导体材料形成，且可形成到所述外部框架。第一沟槽可形成在所述挠曲中，且可将所述第一半导体材料分离成其第一部分及第二部分。氧化物层可形成在所述第一沟槽中，且可在所述第一半导体材料的顶部部分上延伸。第二半导体材料可形成在所述氧化物层上。所述第一沟槽及所述氧化物层可协作以将所述第一部分及所述第二部分彼此电隔离。

根据实施例，一种方法可包括形成挠曲。沟槽可形成在所述挠曲内。氧化物层可形成在所述沟槽内。导电材料可形成在所述氧化物层上。

根据实施例，一种方法可包括经由形成在致动器装置的挠曲的沟槽中的导体而将电压施加到所述致动器装置的致动器。所述挠曲可将所述致动器装置附接到透镜镜筒。

本发明的范围由权利要求书界定，权利要求书以引用的方式并入这部分中。将通过考虑对一个或一个以上实施例的以下详细描述而向所属领域的技术人员提供对实施例的更完全的理解，以及实现其额外优点。将对附图作出参考，将首先简单地对附图进行描述。

附图说明

图1说明根据实施例的具有致动器装置的电子装置。

图2说明根据实施例的具有透镜镜筒的小型相机。

图3A说明根据实施例的具有安置在其内的致动器模块的透镜镜筒。

图3B以分解图说明根据实施例的透镜镜筒及致动器模块。

图4说明根据实施例的具有安置在其内的致动器装置的致动器模块。

图5A说明根据实施例的致动器装置的俯视图。

图5B说明根据实施例的致动器装置的俯视图。

图6A说明根据实施例的致动器装置的一部分。

图6B说明根据实施例的致动器装置的一部分。

图6C说明根据实施例的平台的一部分。

图6D说明根据实施例的经定位以用于安装到致动器装置的可移动透镜的仰视图。

图6E说明根据实施例的安装到致动器装置的可移动透镜的侧视图。

图7说明根据实施例的致动器装置的部分。

图8说明根据实施例的处于部署配置的致动器装置的仰视图。

图9A说明根据实施例的未被施加任何电压的处于部署配置的致动器装置的一部分。

图9B说明根据实施例的被施加较小电压的处于部署配置的致动器装置的一部分。

图9C说明根据实施例的被施加最大电压的处于部署配置的致动器装置的一部分。

图10说明根据实施例的横向缓冲器组合件。

图11说明根据实施例的铰链挠曲及运动控制扭转挠曲。

图12说明根据实施例的内部运动控制铰链。

图13说明根据实施例的悬臂挠曲。

图14说明根据实施例的婉蜒接触挠曲及部署扭转挠曲。

图15说明根据实施例的部署停止件的俯视图。

图16说明根据实施例的部署停止件的仰视图。

图17A说明根据实施例的皮片阻尼器。