[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅膜有效
| 申请号： | 201180055511.8 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103221560A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 高畑雅博;乡原毅 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B5/04;C22B9/22;C23C14/14;C23C14/34;C22C28/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种除了镧以外的稀土元素和气体成分以外具有4N以上的纯度的高纯度镧的制造方法，其特征在于，利用蒸馏钙将除了镧以外的稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧原料还原而制作纯度4N以上的镧，并进行电子束熔炼而除去挥发性物质。所述高纯度镧的制造方法，其特征在于，将Al、Fe、Cu各自调节为10重量ppm以下。所述高纯度镧的制造方法，其特征在于，将气体成分以总量计调节为1000重量ppm以下。本发明的课题在于提供能够高效且稳定地提供高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅用薄膜的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 包含 溅射 作为 主要成分 金属 | ||
【主权项】：
一种除了镧以外的稀土元素和气体成分以外具有4N以上的纯度的高纯度镧的制造方法，其特征在于，利用蒸馏钙将除了镧以外的稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧原料还原而制作纯度4N以上的镧，并对该还原后的镧进行电子束熔炼而除去挥发性物质。
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