[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅膜有效
| 申请号： | 201180055511.8 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103221560A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 高畑雅博;乡原毅 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B5/04;C22B9/22;C23C14/14;C23C14/34;C22C28/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 包含 溅射 作为 主要成分 金属 | ||
1.一种除了镧以外的稀土元素和气体成分以外具有4N以上的纯度的高纯度镧的制造方法，其特征在于，利用蒸馏钙将除了镧以外的稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧原料还原而制作纯度4N以上的镧，并对该还原后的镧进行电子束熔炼而除去挥发性物质。
2.一种除气体成分以外具有4N以上的纯度的高纯度镧的制造方法，其特征在于，利用蒸馏钙将除气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧原料还原而制作纯度4N以上的镧，并对该还原后的镧进行电子束熔炼而除去挥发性物质。
3.如权利要求1或2所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，将Al、Fe、Cu各自调节为10重量ppm以下。
4.如权利要求1或2所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，将Al和Fe各自调节为5重量ppm以下，将Cu调节为1重量ppm以下。
5.如权利要求1或2所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，具有4N5以上的纯度。
6.如权利要求1～5中任一项所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，将C调节为200重量ppm以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，将气体成分以总量计调节为1000重量ppm以下。
8.如权利要求1～7中任一项所述的高纯度镧的制造方法，其特征在于，将镧以外的稀土元素以总量计调节为10重量ppm以下。
9.一种高纯度镧，其特征在于，除了镧以外的稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，Al、Fe、Cu各自为10重量ppm以下。
10.如权利要求9所述的高纯度镧，其特征在于，除气体成分以外的纯度为4N5以上，Al和Fe各自为5重量ppm以下，Cu为1重量ppm以下。
11.如权利要求9或10所述的高纯度镧，其特征在于，C为200重量ppm以下。
12.如权利要求9～11中任一项所述的高纯度镧，其特征在于，气体成分以总量计为1000重量ppm以下。
13.如权利要求9～12中任一项所述的高纯度镧，其特征在于，镧以外的稀土元素以总量计为10重量ppm以下。
14.一种溅射靶，其通过使用权利要求9～13中任一项所述的高纯度镧而制成。
15.一种金属栅膜，其通过使用权利要求14的溅射靶进行成膜而得到。
16.一种半导体元件和器件，其具备权利要求15所述的金属栅膜。
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