[发明专利]透明导电膜有效
| 申请号： | 201180054432.5 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103201105A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 川口康弘;古田健 | 申请（专利权）人： | 北川工业株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B7/02;C23C14/08;G06F3/041;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本爱知县名古屋*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 透明导电膜（1）具有：由透明的树脂构成的基材膜（11）；形成在基材膜（11）的表面上的、光折射率比基材膜（11）高的高折射涂层（12）；和形成在高折射涂层（12）的表面上的、光折射率比高折射涂层（12）低的低折射涂层（13）；和形成在低折射涂层（13）的表面上的由氧化硅构成的防湿性的基底层（14）；和在基底层（14）的表面形成图案的、由光折射率比基底层（14）高的ITO构成透明配线层（15）。透明配线层（15）的ITO的微晶尺寸在9nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 | ||
【主权项】：
一种透明导电膜，其特征在于，具有：由透明的树脂构成的基材膜；形成在该基材膜的表面上的、光折射率比该基材膜高的高折射涂层；形成在该高折射涂层的表面上的、光折射率比该高折射涂层低的低折射涂层；形成在该低折射涂层的表面上的由氧化硅构成的防湿性的基底层；和在该基底层的表面形成图案、由光折射率比该基底层高的结晶质的ITO构成的透明配线层，所述透明配线层的ITO的微晶尺寸在9nm以下。
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