[发明专利]透明导电膜有效
| 申请号： | 201180054432.5 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103201105A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 川口康弘;古田健 | 申请（专利权）人： | 北川工业株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;B32B7/02;C23C14/08;G06F3/041;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本爱知县名古屋*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电膜，其特征在于，具有：
由透明的树脂构成的基材膜；
形成在该基材膜的表面上的、光折射率比该基材膜高的高折射涂层；
形成在该高折射涂层的表面上的、光折射率比该高折射涂层低的低折射涂层；
形成在该低折射涂层的表面上的由氧化硅构成的防湿性的基底层；和
在该基底层的表面形成图案、由光折射率比该基底层高的结晶质的ITO构成的透明配线层，
所述透明配线层的ITO的微晶尺寸在9nm以下。
2.一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，
在多层膜的低折射涂层侧的表面形成由氧化硅构成的防湿性的基底层，所述多层膜是在由透明的树脂构成的基材膜的表面形成有光折射率比该基材膜高的高折射涂层、在该高折射涂层的表面形成有光折射率比该高折射涂层低的低折射涂层的多层膜，
接着，在该基底层的表面形成由光折射率比该基底层高的非结晶的ITO构成的透明导电膜，
接着，通过对所述透明导电膜的一部分进行蚀刻而形成图案，从而形成透明配线层，
接着，通过对由所述多层膜、所述基底层和所述透明配线层构成的层叠体进行加热处理而使得所述透明配线层结晶化。
3.如权利要求2中记载的透明导电膜的制造方法，其特征在于，
所述加热处理后的所述透明配线层中的ITO的微晶尺寸在9nm以下。
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