[发明专利]透明导电膜有效

专利信息
申请号: 201180054432.5 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN103201105A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 川口康弘;古田健 申请(专利权)人: 北川工业株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B32B7/02;C23C14/08;G06F3/041;H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 肖华
地址: 日本爱知县名古屋*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 透明 导电
【说明书】:

技术领域

本发明涉及用于触摸面板等的透明导电膜。

背景技术

作为用于触摸面板的透明导电膜,存在有在一个面设有使透明导电膜图案化而形成的透明配线层的透明导电膜。

近年来,搭载于智能手机等上的触摸面板的光学特性逐步提高。即,要求确保透过触摸面板看到的图像的色调,且要求使得透明配线层的存在不显眼。此外,还要求透明配线层的细线化和高耐久性。

作为确保透明配线层的透明性并使得配线不显眼的技术,例如提出有在基材膜和透明导电膜(透明配线层)之间形成光学调整层的透明导电膜(专利文献1、2)。

而且,作为透明配线层,采用的是ITO(铟锡氧化物),但从该透明配线层的耐久性、光学特性的方面考虑,采用的是结晶质的ITO。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1:日本特开2010-23282号公报

专利文献2:日本特开2008-98169号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是,在进行透明配线层的图案化时,要进行透明导电膜的蚀刻,但透明导电膜(透明配线层)使用结晶质的ITO的话,导致蚀刻速度下降、或者蚀刻残渣残留等蚀刻特性变差。尤其对于上述那样的要求透明配线层的细线化的近来的透明导电膜,希望有蚀刻特性优异的透明导电膜。因此,考虑通过非结晶的(非晶质)的ITO来构成透明配线层。但是,采用非结晶的ITO的话,难以维持透明配线层的耐久性和光学特性。

本发明正是鉴于该问题点而做出的,其提供一种具有耐久性和光学特性优异的、且能够容易地谋求配线精度的高精度化的透明配线层的透明导电膜及其制造方法。

用于解决课题的手段

第一发明是透明导电膜,其特征在于,具有:

由透明的树脂构成的基材膜;

形成在该基材膜的表面上的、光折射率比该基材膜高的高折射涂层;

形成在该高折射涂层的表面上的、光折射率比该高折射涂层低的低折射涂层;

形成在该低折射涂层的表面上的由氧化硅构成的防湿性的基底层;和

在该基底层的表面形成图案、由光折射率比该基底层高的结晶质的ITO构成的透明配线层,

所述透明配线层的ITO的微晶尺寸在9nm以下。

第二发明是透明导电膜的制造方法,其特征在于,

在多层膜的低折射涂层侧的表面形成由氧化硅构成的防湿性的基底层,所述多层膜在由透明的树脂构成的基材膜的表面形成有光折射率比该基材膜高的高折射涂层,在该高折射涂层的表面形成有光折射率比该高折射涂层低的低折射涂层,

接着,在该基底层的表面形成由光折射率比该基底层高的非结晶的ITO构成的透明导电膜,

接着,通过对所述透明导电膜的一部分进行蚀刻而形成图案,从而形成透明配线层,

接着,通过对由所述多层膜、所述基底层和所述透明配线层构成的层叠体进行加热处理而使得所述透明配线层结晶化。

发明的效果

第一发明所涉及的透明导电膜以上述高折射涂层、上述低折射涂层和上述基底层的层叠顺序将这三者设置在上述基材膜和上述透明配线层之间。由此,能够提高透明导电膜的光透过率,提高光学特性。

而且,上述透明配线层的ITO的微晶尺寸为9nm以下。即,形成上述透明配线层的ITO处于虽然结晶化但结晶化的程度较小的状态。以下将该状态称为「微结晶」。

上述透明配线层即使处于微结晶的状态也仍然是结晶质的。因此,能够维持透明配线层的耐久性、光学特性。即,例如,在将上述透明导电膜用于触摸面板的情况下,不仅打鍵特性、滑动特性优异,且能够维持高的光透过性。

又,由于透明配线层处于上述微结晶的状态,所以透明配线层能够在成膜后、在加热处理(退火)前的状态下作成非结晶的(非晶质)的状态。也就是说,在对透明导电膜进形了成膜之后,对其进行局部地蚀刻而做成透明配线层,之后再进行加热处理,从而使透明配线层结晶化,在这样的情况下,为了使得加热处理后的ITO的结晶化的程度比上述微结晶的状态高,在加热处理前的状态下ITO需要为某程度的结晶质。相对于此,即使在加热处理前为非晶质(非结晶),如果是上述微结晶,通过加热处理就能够实现。

因此,如果加热处理后的ITO为上述微结晶的程度,就能够对在透明配线层的结晶化之前的、即处于非结晶(非晶质)的状态的透明导电膜进行蚀刻。其结果,能够提高通过蚀刻形成配线的精度,能够谋求配线精度的高精度化。

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