[发明专利]具有减小的并联电容的硅通孔有效
| 申请号： | 201180053926.1 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103209922A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | J·布雷泽克;约翰·加德纳·布卢姆斯伯;C·阿卡 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B81B1/00;H01G7/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文涉及用于微机电系统(MEMS)传感器的器件层的装置和方法，所述MEMS传感器具有通孔，所述通孔具有减小的并联电容。在一个实例中，器件层可包括衬底，该衬底具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 并联 电容 硅通孔 | ||
【主权项】：
一种通孔层，用于MEMS器件，所述通孔层包括：衬底，具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。
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