[发明专利]具有减小的并联电容的硅通孔有效
| 申请号： | 201180053926.1 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103209922A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | J·布雷泽克;约翰·加德纳·布卢姆斯伯;C·阿卡 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B81B1/00;H01G7/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 减小 并联 电容 硅通孔 | ||
1.一种通孔层，用于MEMS器件，所述通孔层包括：
衬底，具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。
2.根据权利要求1所述的通孔层，其中，所述第三垂直层中少于约80％的量包括多晶硅。
3.根据权利要求1所述的通孔层，其中，所述第三垂直层中少于约20％的量包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的通孔层，其中，所述第一垂直层和第二垂直层包括热氧化物。
5.根据权利要求1所述的通孔层，其中，所述第一垂直介电层和第二垂直介电层中的每一层包括热氧化物和第三材料，所述第三材料的介电常数小于所述热氧化物的介电常数。
6.一种传感器，包括：
覆盖层；
器件层，连接到所述覆盖层，所述器件层包括检测质量块；以及
通孔层，连接到所述器件层，其中，所述器件层包括：
硅衬底，具有在水平方向上被所述硅衬底的一部分分隔开的一对沟槽，
其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。
7.根据权利要求6所述的传感器，其中，所述第三垂直层中少于约80％的量包括多晶硅。
8.根据权利要求6所述的传感器，其中，所述第三垂直层中少于约20％的量包括多晶硅。
9.根据权利要求6所述的传感器，所述第一垂直层和第二垂直层包括热氧化物。
10.根据权利要求6所述的传感器，其中，所述第一垂直介电层和第二垂直介电层中的每一层包括热氧化物和第二材料，所述第二材料的介电常数小于所述热氧化物的介电常数。
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