[发明专利]具有半导体芯片、承载衬底和膜的光电子半导体器件和用于制造所述光电子半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201180052691.4 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103190010A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 马格纳斯·阿尔斯泰特;约翰·拉姆琴 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件（100），所述半导体器件具有发射辐射的半导体芯片（1）、承载衬底（2）和膜（3）。承载衬底（2）在上侧（20）上具有能导电的接触带（21a，21b）。膜（3）设置在芯片（1）的背离承载衬底（2）的辐射出射侧（10）上和承载衬底（2）的上侧（20）上并且具有能导电的第一带状导线（31a）。此外，膜（3）具有穿口（32a，32b），所述穿口设置成，使得半导体芯片（1）能够经由膜（3）的第一带状导线（31a）与承载衬底（2）的第一接触带（21a）电接触。此外，提出一种用于制造这种器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 芯片 承载 衬底 光电子 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
光电子半导体器件（100），具有半导体芯片（1）、承载衬底（2）和膜（3），其中‑所述半导体芯片（1）具有设为用于产生辐射的有源层，‑所述承载衬底（2）在上侧（20）上具有能导电的第一接触带（21a）和能导电的第二接触带（21b），‑所述半导体芯片（1）设置在所述承载衬底（2）的所述上侧（20）上，‑所述膜（3）至少局部地设置在所述半导体芯片（1）的背离所述承载衬底（2）的辐射出射侧（10）上和所述承载衬底（2）的所述上侧（20）上，‑所述膜（3）至少局部地在背离所述承载衬底（2）的上侧（30）上具有至少一个能导电的第一带状导线（31a），以及‑所述膜（3）具有至少一个第一穿口（32a）和一个第二穿口（32b），所述至少一个第一穿口和一个第二穿口设置成，使得所述半导体芯片（1）能够经由所述膜（3）的所述第一带状导线（31a）与所述承载衬底（2）的所述第一接触带（21a）电接触。
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