[发明专利]具有半导体芯片、承载衬底和膜的光电子半导体器件和用于制造所述光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.光电子半导体器件（100），具有半导体芯片（1）、承载衬底（2）和膜（3），其中

-所述半导体芯片（1）具有设为用于产生辐射的有源层，

-所述承载衬底（2）在上侧（20）上具有能导电的第一接触带（21a）和能导电的第二接触带（21b），

-所述半导体芯片（1）设置在所述承载衬底（2）的所述上侧（20）上，

-所述膜（3）至少局部地设置在所述半导体芯片（1）的背离所述承载衬底（2）的辐射出射侧（10）上和所述承载衬底（2）的所述上侧（20）上，

-所述膜（3）至少局部地在背离所述承载衬底（2）的上侧（30）上具有至少一个能导电的第一带状导线（31a），以及

-所述膜（3）具有至少一个第一穿口（32a）和一个第二穿口（32b），所述至少一个第一穿口和一个第二穿口设置成，使得所述半导体芯片（1）能够经由所述膜（3）的所述第一带状导线（31a）与所述承载衬底（2）的所述第一接触带（21a）电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述膜（3）借助于粘接层固定在所述半导体芯片（1）和所述承载衬底（2）上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述粘接层具有5μm和10μm之间的范围中的厚度，其中包含边界值。

4.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

所述膜（3）中的所述穿口（32a，32b）具有至少100μm的直径。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

所述穿口（32a，32b）至少局部地穿孔于所述第一带状导线（31a）并且所述穿口完全地穿透所述第一带状导线（31a）。

6.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

所述膜（3）是多层膜，所述多层膜具有多个电绝缘的膜层（33）和设置在所述膜层之间的、能导电的另外的带状导线（31c）。

7.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

所述穿口（32a，32b）的直径从所述膜（3）的所述上侧（30）在竖直方向上沿朝所述承载衬底的方向减小。

8.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

所述承载衬底（2）具有凹部（22），在所述凹部中设置有所述半导体芯片（1）。

9.根据权利要求5、6和8所述的半导体器件，其中

所述凹部（22）的高度至少对应于所述半导体芯片（1）的高度。

10.根据上述权利要求之一所述的半导体器件，其中

所述膜（3）在所述半导体芯片（1）的辐射出射面（11）的区域中具有另一穿口（32c）。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中

在所述另一穿口（32c）中施加转换材料（4）。

12.用于制造光电子器件（100）的方法，所述光电子器件包括半导体芯片（1）、承载衬底（2）和膜（3），所述方法具有以下步骤：

-提供所述承载衬底（2），所述承载衬底在上侧（20）上具有能导电的第一接触带（21a）和能导电的第二接触带（21b），

-将所述半导体芯片（2）设置在所述承载衬底（2）的所述上侧（20）上，

-将所述膜（3）至少局部地层压在所述半导体芯片（1）的背离所述承载衬底（2）的辐射出射侧（10）上和所述承载衬底（2）的所述上侧（20）上，其中所述膜（3）至少局部地在背离所述承载衬底（2）的所述上侧（20）上具有至少一个能导电的第一带状导线（31a）、第一穿口（32a）和第二穿口（32b），并且

-所述半导体芯片（1）借助于所述穿口（32a，32b）经由所述膜（3）的所述第一带状导线（31a）至少与所述承载衬底（2）的所述第一接触带（21a）电接触。

13.根据权利要求12所述的方法，其中

借助于冲压或激光构成所述膜（3）中的所述穿口（32a，32b，32c）。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中

借助于接触滴（5）构成电接触部，将所述接触滴分别引入到所述膜的每个穿口中。

15.根据权利要求12至14之一所述的方法，其中

在同一方法中制造多个光电子器件（100），其中

-在所述承载衬底（2）上设置多个半导体芯片（1），

-将所述膜（3）层压成一件，并且

-分割所述器件（100）。