[发明专利]具有半导体芯片、承载衬底和膜的光电子半导体器件和用于制造所述光电子半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种根据权利要求1所述的具有半导体芯片、承载衬底和膜的半导体器件。此外，本发明涉及一种根据权利要求12所述的用于制造这种半导体器件的方法。

背景技术

传统的光电子器件通常为了电接触和机械稳定而设置在承载衬底上。在此，存在将这种器件单独安装在例如印刷电路板或电路板上的可能性。为了器件的电接触，例如使用从器件的接触面引向承载衬底的接触带的金线。然而，借助于例如是金线的接合线的接触具有下述缺点：这种器件构成为是具有很大高度的。

将CPHF工艺（CPHF：Compact Planar High Flux，紧凑型平面高通量）用作替代的电接触技术。这种接触具有带状导线，所述带状导线设置在电绝缘的材料上，其中将带状导线从器件的接触面引向承载衬底的接触带。在此，带状导线例如能够借助于电镀工艺、溅射工艺、阴影掩模和/或剥离工艺来施加到电绝缘的材料上，使得实现电接触。然而，在CPHF接触工艺中，能够在器件的接触面的和承载衬底的带状导线的区域中不利地造成污染。

此外，在上文中描述的用于光电子器件的电接触的可能性还具有下述缺点：器件仅能够与设为用于相应的接触技术的承载衬底组合。

发明内容

本发明基于下述目的，提出一种半导体器件，所述半导体器件的特征在于平的设计、在污染方面减少的危险及同时在于各个器件组件的灵活的电布线。此外，本发明基于下述目的，提出一种用于这种器件的灵活的制造方法。

此外，所述目的通过具有权利要求1的特征的器件和具有权利要求12的特征的用于制造所述器件的方法来实现。器件和其制造方法的有利的改进形式是从属权利要求的主题。

在一个改进形式中，光电子半导体器件设有半导体芯片、承载衬底和膜，其中半导体芯片具有设为用于产生辐射的有源层。承载衬底在上侧上具有能导电的第一接触带和能导电的第二接触带。半导体芯片设置在承载衬底的上侧上。膜至少局部地设置在半导体芯片的背离承载衬底的辐射出射侧上和承载衬底的上侧上。膜至少局部地在背离承载衬底的上侧上具有至少一个能导电的第一带状导线。膜具有至少一个第一穿口和第二穿口，所述至少一个第一穿口和第二穿口设置成，使得半导体芯片能够经由膜的第一带状导线与承载衬底的第一接触带电接触。

光电子器件尤其是下述器件，所述器件实现将电能转化成辐射发射或反之亦然。例如，光电子器件是发射辐射的器件。

因此，半导体芯片的当前的电接触经由第一带状导线来进行，所述第一带状导线设置在膜的背离芯片的侧上。由此，常规使用的接合线不是必需的，由此器件的高度与接合线无关从而能够构成为是高度下降的。因此，有利地实现平的器件。

通过至少局部地包围半导体芯片的膜，能够有利地保护半导体芯片不受机械的环境影响。由此，能够有利地减少污染芯片的接触面或承载衬底的接触带的危险。

此外，通过将承载衬底与设置在承载衬底上的接触带组合和将膜与设置在膜上的带状导线和穿口组合实现芯片与其它半导体组件或承载衬底的灵活的布线。例如能够将电阻器、传感器、硅芯片驱动器或ESD二极管用作其它半导体组件。

膜上的带状导线能够根据所提出的应用来构成。由此，能够根据期望的和所提出的用途有利地构成膜和膜上的电引导部，使得实现器件组件的灵活组合。

在一个改进形式中，膜对于由半导体芯片发射的辐射而言是至少部分透明的或可穿透的。优选地，膜对于至90%的、尤其优选至99%的由半导体器件发射的辐射而言是可穿透的。

替选地，膜对于由半导体芯片发射的辐射而言可为不可穿透的。在该情况下，在膜的设置区域中，在表面上对由半导体芯片发射的辐射进行遮蔽。