[发明专利]用于提高闪存的耐久性的方法和装置有效
| 申请号： | 201180051326.1 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103180908A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | H·曹;K·潘戈尔;K·K·帕拉特;N·R·米尔克;P·卡拉瓦德;I·赵 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于提高闪存耐久性的方法和装置。在本发明的一个实施例中，将高电场提供给闪存模块的控制栅极。施加到闪存模块的高电场去除了闪存模块的控制栅极和有源区之间的陷获电荷。在本发明的一个实施例中，在闪存模块的擦除操作之前将高电场施加至闪存模块的控制栅极。通过将高电场施加到闪存模块的控制栅极，本发明的实施例改进闪存模块的单级或多级单元的编程/擦除循环降级。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 闪存 耐久性 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极。
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