[发明专利]用于提高闪存的耐久性的方法和装置

权利要求书

1.一种方法，包括：

在闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极包括：

在所述闪存模块的每次擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

对于所述闪存模块的每次编程操作和每次擦除操作，递增计数器；以及

确定计数器是否等于阈值；以及其中在闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极包括响应于确定所述计数器等于阈值在闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

响应于在所述闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极，复位所述计数器；以及

重复递增、确定和施加的方法。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

响应于复位所述计数器，将所述阈值设置成另一个值。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

确定所述闪存模块的失效位的数量是否超过阈值；以及其中在闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极包括响应于确定所述闪存模块的失效位的数量超过阈值，而在闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极包括：

将所述闪存模块的所有位线设置为接地电压；

将所述闪存模块的所有奇数字线保持在低于禁止电压值的电压；以及

将所述一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的所有偶数字线。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的控制栅极包括：

将所述闪存模块的所有位线设置为接地电压；

将所述闪存模块的所有偶数字线保持在低于禁止电压值的电压；以及

将所述一个或多个电压脉冲施加到所述闪存模块的所有奇数字线。

9.一种装置，包括：

所隔闪存模块；

与所述多个闪存模块耦合以将高电场提供给每个闪存模块以去除每个闪存模块的控制栅极和有源区之间的陷获电荷的逻辑。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，陷获电荷驻留在每个闪存模块的隧道氧化物和/或介电区中。

11.如权利要求9所述的装置，其特征在于，将高电场提供给每个闪存模块的逻辑用于：

在每个闪存模块的每次擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到每个闪存模块的控制栅极。

12.如权利要求9所述的装置，其特征在于，将高电场提供给每个闪存模块的逻辑用于：

对于每个闪存模块的每次编程操作和每次擦除操作，递增计数器；

确定所述计数器是否等于阈值；以及

响应于确定所述计数器等于阈值，在每个闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到每个闪存模块的控制栅极；

响应于在每个闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到每个闪存模块的控制栅极，复位所述计数器；以及

重复递增、确定和施加的步骤。

13.如权利要求9所述的装置，其特征在于，将高电场提供给每个闪存模块的逻辑用于：

确定每个存储器模块的失效位的数量是否超过阈值；以及

响应于确定所述闪存模块的失效位的数量超过阈值，在每个闪存模块的擦除操作之前将一个或多个电压脉冲施加到每个闪存模块的控制栅极。

14.如权利要求9所述的装置，其特征在于，将高电场提供给每个闪存模块的逻辑用于：

将每个闪存模块的所有位线设置为接地电压；

将每个闪存模块的所有奇数字线保持在低于禁止电压值的电压；以及

将所述一个或多个电压脉冲施加到每个闪存模块的所有偶数字线。