[发明专利]使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠,以及其形成工艺有效
| 申请号： | 201180045863.5 | 申请日： | 2011-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103119712A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | J·古扎克;R·K·纳拉;J.索托冈萨雷斯;D·德莱尼;S·波素库奇;M·玛莫迪亚;E·扎波科;J·斯旺 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置包括具有硅通孔（TSV）嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 包括 嵌入式 管芯 内建非 凹凸 衬底 硅通孔 堆叠 及其 形成 工艺 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：包括设置在其中的硅通孔的管芯（TSV管芯）；其中所述TSV管芯嵌入到无核衬底中，其中所述无核衬底包括着陆侧和管芯侧；其中所述TSV管芯包括有源表面和背侧表面；以及其中相对于所述着陆侧，所述有源表面更靠近所述管芯侧。
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