[发明专利]使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠,以及其形成工艺

权利要求书

1.一种装置，包括：

包括设置在其中的硅通孔的管芯（TSV管芯）；

其中所述TSV管芯嵌入到无核衬底中，其中所述无核衬底包括着陆侧和管芯侧；

其中所述TSV管芯包括有源表面和背侧表面；以及其中相对于所述着陆侧，所述有源表面更靠近所述管芯侧。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述着陆侧被安装到基础衬底。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯完全嵌入所述无核衬底中。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯完全嵌入所述无核衬底中，所述装置还包括：

后续管芯，设置在所述管芯侧上方并通过至少一个TSV耦合到所述TSV管芯。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯是第一TSV管芯并完全嵌入所述无核衬底中，所述装置还包括：

第二TSV管芯，设置在所述管芯侧之上并与所述TSV第一管芯接触；第三TSV管芯，设置在所述第二TSV管芯之上并与所述第二TSV管芯接触；

第四TSV管芯，设置在所述第三TSV管芯之上并与所述第三TSV管芯接触；以及后续管芯，设置在所述第四TSV管芯之上并与所述第四TSV管芯接触。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯是第一TSV管芯并完全嵌入所述无核衬底中，所述装置还包括：

第二TSV管芯，设置在所述管芯侧之上并与所述第一TSV管芯接触；第三TSV管芯，设置在所述第二TSV管芯之上并与所述第二TSV管芯接触；

第四TSV管芯，设置在所述第三TSV管芯之上并与所述第三TSV管芯接触；

第五TSV管芯，设置在所述第四TSV管芯之上并与所述第四TSV管芯接触；

第六TSV管芯，设置在所述第五TSV管芯之上并与所述第五TSV管芯接触；以及后续管芯，设置在所述第六TSV管芯之上并与所述第六TSV管芯接触。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯是完全嵌入所述无核衬底中的第一TSV管芯，所述装置还包括：

横向堆栈TSV管芯，完全嵌入所述无核衬底中；以及后续管芯，设置在所述管芯侧上方并通过至少一个TSV耦合到所述第一TSV管芯。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯是完全嵌入所述无核衬底中的第一TSV管芯，所述装置还包括：

第一横向堆栈TSV管芯，完全嵌入所述无核衬底中；后续横向堆栈管芯，设置在所述管芯侧上方并通过至少一个TSV耦合到所述第一横向堆栈TSV管芯；以及

后续管芯，设置在所述管芯侧上方并通过至少一个TSV耦合到所述第一TSV管芯。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯是完全嵌入所述无核衬底中的第一TSV管芯，所述装置还包括：

第二TSV管芯，与所述第一TSV管芯接触；

后续TSV管芯，设置在所述管芯侧上方并通过至少一个TSV耦合到所述第二TSV管芯；

第一横向堆栈TSV管芯，完全嵌入所述无核衬底中；第二横向堆栈TSV管芯，与所述第一横向堆栈TSV管芯接触；第三横向堆栈TSV管芯，与所述第二横向堆栈TSV管芯接触；以及后续横向堆栈管芯，设置在所述管芯侧上方并通过至少一个TSV耦合到所述第三横向堆栈TSV管芯。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯完全嵌入所述无核衬底中，所述装置还包括：

设置在所述管芯侧的至少一个层叠封装（POP）结合盘。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯完全嵌入所述无核衬底中，所述装置还包括：

设置在所述管芯侧的至少一个POP结合盘；以及

设置在所述管芯侧并与所述POP结合盘接触的设备模块。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述TSV管芯完全嵌入所述无核衬底中，所述装置还包括：

设置在所述管芯侧的至少一个层叠封装（POP）结合盘；以及后续管芯，设置在所述管芯侧上方并通过至少一个TSV耦合到所述TSV管芯。