[发明专利]提高具有纳米颗粒的半导体互连的机械性质的方法在审
| 申请号： | 201180043205.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103180933A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 鲍军静;N·E·勒斯蒂格;郑天人 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在BEOL工艺中，在超低k(ULK)电介质100的固化工艺中使用UV辐射。这一辐射经过ULK材料渗透并且到达在它下面的盖层膜。在UV光与膜之间的相互作用造成盖层膜的性质的改变。特别关注盖层的应力状态从压缩应力改变成拉伸应力。这造成更弱的电介质-盖层界面和ULK膜的机械失效。在盖层130与ULK膜之间插入纳米颗粒层120。纳米颗粒在UV光可以损坏盖层膜之前吸收UV光，因此维持ULK电介质的机械完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 具有 纳米 颗粒 半导体 互连 机械 性质 方法 | ||
【主权项】：
一种多层半导体结构，包括：一个或者多个超低k(ULK)电介质层100，而每个交替ULK电介质层具有在其中形成的多个金属填充沟槽和过孔；盖层130，覆盖和密封具有所述多个金属填充沟槽180和过孔150的所述ULK电介质层100；以及纳米颗粒120，在所述ULK电介质层与所述盖层之间的界面处形成单层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
