[发明专利]低阻抗传输线有效
| 申请号： | 201180040984.0 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103098210A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·P·金斯伯格;维贾伊·B·伦塔拉;斯里纳特·M·拉马斯瓦米;巴赫尔·S·哈龙;硕恩永 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/768;H01L29/92;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王璐 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有传输线(104)的系统(100)，所述传输线(104)在其中心分接头(120)处耦合到平衡-不平衡转换器(102)。通常，传输线(104)运载在约160GHz(例如)的频率范围内的信号且可具有约20μm的长度。为了调整施加在所述中心分接头(120)处的阻抗，传输线(104)的传输线单元(112-1到112-9)绕所述中心分接头(120)而改变。靠近所述中心分接头(120)的传输线单元(即，112-1到112-3)以递减的高度串联。这些传输线单元(112-1到112-9)中的每一者大体包括金属氧化物半导体MOS电容器、金属电容器和共面波导管。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 传输线 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：MOS电容器，其在衬底上形成；金属电容器，其在所述MOS电容器上形成；以及共面波导管，其在所述金属电容器上形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
