[发明专利]低阻抗传输线

说明书

技术领域

本发明大体上涉及传输线，且更特定而言，涉及用于高频率应用的低阻抗传输线。

背景技术

传输线在集成电路(IC)中使用传输线单元或元件是众所周知的。通常，这些传输线单元的不同高度可改变单元(及传输线)的特征。就是说，阻抗与高度成反比。然而，在阻抗与间隔(布局)规范之间通常存在折衷。此外，许多组件(例如，平衡-不平衡转换器(balun))使用不同的输入阻抗。因此，需要具有可变元件以在遵守间隔规范的同时容纳不同组件的传输线。

发明内容

因此，本发明的实例实施例提供一种装置。所述装置包括：在衬底上形成的MOS电容器；在MOS电容器上形成的金属电容器；以及在金属电容器上形成的共面波导管。

根据本发明的实例实施例，金属电容器进一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金属化层。

根据本发明的实例实施例，金属化层进一步包括第一金属化层，且其中共面波导管进一步包括：具有第一、第二和第三部分的第二金属化层；在第一金属化层的第一部分与第二金属化层的第一部分之间所形成的第一组导电通孔；在第一金属化层的第二部分与第二金属化层的第二部分之间所形成的第二组导电通孔；以及在第一金属化层的第三部分与第二金属化层的第三部分之间所形成的第三组导电通孔。

根据本发明的实例实施例，第一金属化层进一步包括多个第一金属化层，其中的每一者具有第一、第二和第三部分。

根据本发明的实例实施例，共面波导管进一步包括：具有第一、第二和第三部分的第三金属化层；以及在第二金属化层的第一和第三部分中的至少一者与第三金属化层之间所形成的第四组导电通孔。

根据本发明的实例实施例，MOS电容器进一步包括：具有第一部分和第二部分的第四金属化层；在衬底中形成的多个源极/漏极区域；在衬底上形成的多个栅极绝缘体层，其中每一栅极绝缘体层是在至少两个源极/漏极区域之间形成的；多个栅电极，其中每一栅电极是在栅极绝缘体层的至少一者上形成的；耦合到每一栅电极的搭接片；第七组导电通孔，其中来自第七组的每一导电通孔是在至少一个源极/漏极区域与第四金属化层的第一部分之间形成的；以及第八组导电通孔，其中来自第八组的每一导电通孔是在搭接片处与第四金属化层的第二部分之间形成的。

根据本发明的实例实施例，装置进一步包括在衬底上形成的二极管。

根据本发明的实例实施例，提供一种装置。装置包括具有中心分接头的平衡-不平衡转换器；以及彼此邻近以形成传输线的多个传输线单元，其中传输线耦合到中心分接头，且其中靠近中心分接头的传输线单元的尺寸经设计以具有比远离中心分接头的传输线单元小的高度，其中每一传输线单元包含：在衬底上形成的MOS电容器；在MOS电容器上形成的金属电容器；以及在金属电容器上形成的共面波导管。

根据本发明的实例实施例，每一传输线单元宽度为约4μm，且其中位于远离中心分接头处的每一传输线单元的高度为约9.5μm或更高，且其中位于靠近中心分接头处的每一传输线单元的高度为大于约小于约9.5μm。

根据本发明的实例实施例，最靠近中心分接头的传输线单元进一步包括在衬底上形成的二极管。