[发明专利]氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的处理有效
申请号: | 201180038877.4 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN103068754A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | N·勒布隆;P·坦登;S·维姆利 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | C03B19/14 | 分类号: | C03B19/14;C03B37/012;C03B37/014;C03B19/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的一种实施方式涉及清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法,该方法包括用至少一种以下配混物处理氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的步骤:(i)CO和Cl2在载气中的混合物,使得该混合物中CO和Cl2的总浓度大于10%(体积比,在载气中)且CO﹕Cl2比为0.25-5;(ii)在载气中的CCl4,使得CCl4浓度大于1%(体积比,在载气中)。优选在600-850℃的温度下进行CCl4的处理。优选在900-1200℃的温度下进行CO和Cl2混合物的处理。载气可以是例如He、Ar、N2或其组合。 | ||
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【主权项】:
一种清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法,所述方法包括:用至少一种以下配混物处理所述氧化硅基烟炱或所述由氧化硅基烟炱制成的制品:(i)CO和Cl2在载气中的混合物,使得所述混合物中CO和Cl2的总浓度大于10体积%且CO﹕Cl2比为0.25‑5;(ii)在载气中的CCl4,使得CCl4的浓度大于1体积%。
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