[发明专利]氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的处理

权利要求书

1.一种清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，所述方法包括：

用至少一种以下配混物处理所述氧化硅基烟炱或所述由氧化硅基烟炱制成的制品：（i）CO和Cl₂在载气中的混合物，使得所述混合物中CO和Cl₂的总浓度大于10体积%且CO﹕Cl₂比为0.25-5；（ii）在载气中的CCl₄，使得CCl₄的浓度大于1体积%。

2.如权利要求1所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO﹕Cl₂比为0.5-2。

3.如权利要求1所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO﹕Cl₂比为0.75-1.5。

4.如权利要求1-3所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO和Cl₂混合物的处理在900-1200℃进行。

5.如权利要求4所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO和Cl₂混合物的处理在1000-1200℃进行。

6.如权利要求4所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO和Cl₂混合物的处理在1100-1200℃进行。

7.如权利要求1所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CCl₄的处理在600-850℃进行。

8.如权利要求7所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CCl₄的处理在750-850℃进行。

9.如权利要求2-5所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO和Cl₂混合物的处理进行至少120分钟。

10.如权利要求9所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO和Cl₂混合物的处理进行至少100分钟。

11.如权利要求9所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO和Cl₂混合物的处理进行至少200分钟。

12.如权利要求11所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO和Cl₂混合物的处理进行至少600分钟。

13.如权利要求2-5所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CO/Cl₂混合物的处理时间至少为：

t_{处理，Cr2O3}（分钟）＞t_扩散+t_{反应，Cr2O3}

其中扩散时间是烟炱层厚度L（单位是厘米）以及CO/Cl₂混合物通过多孔烟炱预制体或疏松氧化硅烟炱的扩散率D_有效（单位是平方厘米/秒），且

反应时间为：

其中x_Cl2为（y_Cl2）/（y_Cl2+y_CO），y_Cl2和y_CO分别是氯气和一氧化碳的分压。

14.如权利要求7所述的清洁氧化硅基烟炱或由氧化硅基烟炱制成的制品的方法，其特征在于，CCl₄的处理时间至少为：

t_{处理，ZrO2}（分钟）＞t_扩散+t_{反应，ZrO2}

其中扩散反应时间是烟炱层厚度L（单位是厘米）以及CCl₄通过多孔烟炱预制体的扩散率D_{有效，CCl4}（单位是平方厘米/秒），为：

反应时间为：