[发明专利]基板衬托器及具有其的沉积装置有效
申请号: | 201180036834.2 | 申请日: | 2011-03-16 |
公开(公告)号: | CN103026465A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 朴用城;李成光;金东烈 | 申请(专利权)人: | 国际电气高丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/683 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于半导体元件制造的沉积装置,根据本发明,包括:工艺腔;基板衬托器,其安装于所述工艺腔,在同心圆上具有放置基板的多个台;气体供应构件,其为多个,供应反应气体;净化气体供应构件,其供应净化气体;喷射构件,其具有多个独立的导流板,使得能够在与放置于各个所述台上的基板对应的位置,独立地向基板的整个处理面喷射从所述多个气体供应部和所述净化气体供应构件接受供应的反应气体及净化气体;以及驱动部,其使所述基板衬托器或所述喷射构件旋转,使得所述喷射构件的导流板向各个放置于所述台的多个基板依次旋转。所述基板衬托器包括:上部衬托器,其形成有所述台;下部衬托器,其结合于所述上部衬托器底面,安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体;以及屏蔽板,其与各个所述台对应地安装于所述下部衬托器的底面,用于把向所述下部衬托器底面放射的热能重新向所述下部衬托器侧供应,提高热效率。 | ||
搜索关键词: | 衬托 具有 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种沉积装置,该沉积装置的特征在于,包括:工艺腔;基板衬托器,其安装于所述工艺腔,在同一平面上放置多个基板;以及喷射构件,其在分别对应于在所述基板衬托器上放置的多个基板的位置,向基板的整个处理面喷射气体;所述基板衬托器包括:上部衬托器,其在上部面形成有放置基板的台;下部衬托器,其结合于所述上部衬托器底面,在与各个所述台对应的区域,安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体;以及屏蔽构件,其安装于所述下部衬托器的底面,用于抑制向所述下部衬托器底面的热能放射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际电气高丽株式会社,未经国际电气高丽株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180036834.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于带内调制解调器中的同步化跟踪的系统和方法
- 下一篇:显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造