[发明专利]基板衬托器及具有其的沉积装置有效
| 申请号: | 201180036834.2 | 申请日: | 2011-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN103026465A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 朴用城;李成光;金东烈 | 申请(专利权)人: | 国际电气高丽株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬托 具有 沉积 装置 | ||
1.一种沉积装置,该沉积装置的特征在于,包括:
工艺腔;
基板衬托器,其安装于所述工艺腔,在同一平面上放置多个基板;以及
喷射构件,其在分别对应于在所述基板衬托器上放置的多个基板的位置,向基板的整个处理面喷射气体;
所述基板衬托器包括:
上部衬托器,其在上部面形成有放置基板的台;
下部衬托器,其结合于所述上部衬托器底面,在与各个所述台对应的区域,安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体;以及
屏蔽构件,其安装于所述下部衬托器的底面,用于抑制向所述下部衬托器底面的热能放射。
2.根据权利要求1所述的沉积装置,其特征在于:
所述基板衬托器在所述下部衬托器与所述屏蔽构件之间,具有用于热传递的辐射空间。
3.根据权利要求2所述的沉积装置,其特征在于:
所述屏蔽构件包括在与所述辐射空间接触的上面形成有反射涂膜的板状的屏蔽板;
所述屏蔽板与所述台对应地配置。
4.根据权利要求3所述的沉积装置,其特征在于:
所述屏蔽板具有弯曲的上面或倾斜的上面。
5.根据权利要求3所述的沉积装置,其特征在于:
所述屏蔽板具有凹陷或凸出的上面。
6.根据权利要求3所述的沉积装置,其特征在于:
所述屏蔽板在上面形成有以能够把热能的放射角度集中于特定区间的阴刻或阳刻的凹凸形态构成的图案。
7.根据权利要求2所述的沉积装置,其特征在于:
所述基板衬托器在位于所述台下方的所述上部衬托器与所述下部衬托器之间,形成有用于以辐射方式传递所述发热体的热源的空隙。
8.根据权利要求7所述的沉积装置,其特征在于:
在所述空隙中,填充有热容量大、导热率低的碳化硅系物质。
9.一种沉积装置,该沉积装置的特征在于,包括:
工艺腔;
基板衬托器,其安装于所述工艺腔,在同心圆上具有放置基板的多个台;
气体供应构件,其为多个,供应反应气体;
净化气体供应构件,其供应净化气体;
喷射构件,其具有多个独立的导流板,使得能够在与放置于各个所述台上的基板对应的位置,独立地向基板的整个处理面喷射从所述多个气体供应部和所述净化气体供应构件接受供应的反应气体及净化气体;以及
驱动部,其使所述基板衬托器或所述喷射构件旋转,使得所述喷射构件的导流板向各个放置于所述台的多个基板依次旋转;
所述基板衬托器包括:
上部衬托器,其形成有所述台;
下部衬托器,其结合于所述上部衬托器底面,安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体;
以及屏蔽板,其与各个所述台对应地安装于所述下部衬托器的底面,用于把向所述下部衬托器底面放射的热能重新向所述下部衬托器侧供应,提高热效率。
10.根据权利要求9所述的沉积装置,其特征在于:
所述基板衬托器在位于所述台下方的所述上部衬托器与所述下部衬托器之间形成有用于均一地传递所述发热体的热能的第1空隙,
在所述下部衬托器与所述屏蔽构件之间形成有用于把从所述屏蔽构件反射的热能传递给所述下部衬托器的第2空隙。
11.根据权利要求10所述的沉积装置,其特征在于:
所述屏蔽板具有形成有反射涂层的凹陷或凸出的上面。
12.根据权利要求11所述的沉积装置,其特征在于:
在所述屏蔽板的上面,形成以阴刻或阳刻的凹凸形态构成的图案。
13.一种基板衬托器,该基板衬托器的特征在于,包括:
上部衬托器,其在同心圆上具有放置基板的多个台;
下部衬托器,其结合于所述上部衬托器的底面;
发热体,其安装于所述下部衬托器与所述上部衬托器之间,提供用于对基板进行加热的热源;以及
屏蔽构件,其与各个所述台对应地安装于所述下部衬托器,在上面具有反射涂膜,用于把从所述下部衬托器放射的热能重新向所述下部衬托器侧供应,提高热效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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