[发明专利]基板衬托器及具有其的沉积装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于半导体元件制造的装置，更详细地说，涉及支撑基板的衬托器及具有其的执行沉积工序的装置。

背景技术

在制造半导体元件的沉积过程中，为改善沉积膜质的一致性(conformability)，导入了原子层沉积方式。原子层沉积方式是一种反复进行沉积成相当于原子层厚度的单位反应周期(cycle)，以所需的厚度形成沉积层的方式。但是，原子层沉积方式与化学气相沉积(CVD，chemical vapor deposition)或溅射(sputter)方式相比，沉积速度很慢，因而为了使膜生长为所需厚度需要大量时间，生产率下降。

特别是放置基板的衬托器的温度均一度是左右沉积于基板的薄膜的厚度均一度的重要因素之一。衬托器根据发热体的配置形状而对基板产生热影响，造成膜质的不均衡。因此，为减小因发热体的配置而产生的影响，在衬托器中，使提供发热体的板的厚度加厚，确保温度均一性。

发明内容

本发明的一种目的在于提供一种能够提高热效率的基板衬托器及具有其的沉积装置。

另外，本发明的一种目的在于提供一种能够使从发热体产生的热不用于基板加热而损失的现象实现最小化的基板衬托器及具有其的沉积装置。

另外，本发明的一种目的在于提供一种能够提高温度均一性的基板衬托器及具有其的沉积装置。

本发明的目的并不限定于此，从以下记载中，所属技术领域的技术人员将能够明确理解未提及的其它目的。

为解决上述课题，本发明的沉积装置包括：工艺腔；基板衬托器，其安装于所述工艺腔，在同一平面上放置多个基板；以及喷射构件，其在分别对应于在所述基板衬托器上放置的多个基板的位置，向基板的整个处理面喷射气体；所述基板衬托器包括：上部衬托器，其在上部面形成有放置基板的台；下部衬托器，其结合于所述上部衬托器底面，在与各个所述台对应的区域，安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体；以及屏蔽构件，其安装于所述下部衬托器的底面，用于抑制向所述下部衬托器底面的热能放射。

根据本发明的实施例，所述基板衬托器在所述下部衬托器与所述屏蔽构件之间具有用于热传递的辐射空间。

根据本发明的实施例，所述屏蔽构件包括在与所述辐射空间接触的上面形成有反射涂膜的板状的屏蔽板；所述屏蔽板与所述台对应地配置。

根据本发明的实施例，所述屏蔽板具有弯曲的上面或倾斜的上面。

根据本发明的实施例，所述屏蔽板在上面具有以能够把热能的放射角度集中于特定区间的阴刻或阳刻的凹凸形态构成的图案。

根据本发明的实施例，所述基板衬托器在位于所述台下方的所述上部衬托器与所述下部衬托器之间形成有用于以辐射方式传递所述发热体的热源的空隙。

根据本发明的实施例，在所述空隙中，填充有混合了热容量大、导热率低的碳纳米管的碳化硅系物质。

用于达成所述课题的基板衬托器包括：上部衬托器，其在同心圆上具有放置基板的多个台；下部衬托器，其结合于所述上部衬托器底面，安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体；以及屏蔽板，其与各个所述台对应地安装于所述下部衬托器的底面，用于把向所述下部衬托器底面放射的热能重新向所述下部衬托器侧供应，提高热效率。

根据本发明的实施例，所述基板衬托器在位于所述台下方的所述上部衬托器与所述下部衬托器之间形成有用于均一地传递所述发热体的热能的第1空隙，在所述下部衬托器与所述屏蔽构件之间形成有用于把从所述屏蔽构件反射的热能传递给所述下部衬托器的第2空隙。

根据本发明的实施例，所述屏蔽板在与所述第2空隙接触的上面具有反射涂膜，在所述屏蔽板的上面，形成有以能够把热能的放射角度集中于特定区间的阴刻或阳刻的凹凸形态构成的图案。

有益效果

根据本发明，能够使放置于衬托器上的基板的温度分布偏差实现最小化。

另外，根据本发明，能够在加热基板时提高热效率。

附图说明

图1是用于说明本发明的原子层沉积装置的图。

图2及图3是图1所示的喷射构件的立体图及剖面图。

图4是图1所示的基板衬托器的立体图。

图5是基板衬托器的主要部分剖面图。

图6至图9是显示屏蔽构件的多种变形例的图。

图10是用于说明本发明另一实施例的屏蔽构件的图。

图11是显示图10所示的屏蔽构件的变形例的图。

图12是显示屏蔽构件又一实施例的图。