[发明专利]基于氟的聚合物薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201180035933.9 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103025912A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 林振炯;崔贤;金起焕 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C08F14/18;C08F14/20;C08F14/22;C09J5/04 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 黄丽娟;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于氟的聚合物薄膜及其制备方法。根据本发明的制备基于氟的聚合物薄膜的方法包括如下步骤：a）在第一基底上形成基于氟的聚合物薄膜；b)在所述基于氟的聚合物薄膜上形成包含第一官能团的薄层；c）在第二基底上形成包含第二官能团的薄层；以及d）使所述第一官能团和所述第二官能团彼此化学键合。根据本发明，可以在基底上牢固地形成基于氟的聚合物薄膜，并且可以改善耐久性并长时间保持抗水性和防污性。此外，根据本发明在基底上形成基于氟的聚合物薄膜的方法具有优异的可操作性，并且当基底破损时容易修复。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备基于氟的聚合物薄膜的方法，包括如下步骤：a）在第一基底上形成基于氟的聚合物薄膜；b）在所述基于氟的聚合物薄膜上形成包含第一官能团的薄层；c）在第二基底上形成包含第二官能团的薄层；以及d）使所述第一官能团和所述第二官能团彼此化学键合。
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