[发明专利]基于氟的聚合物薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种制备基于氟的聚合物薄膜的方法，包括如下步骤：

a）在第一基底上形成基于氟的聚合物薄膜；

b）在所述基于氟的聚合物薄膜上形成包含第一官能团的薄层；

c）在第二基底上形成包含第二官能团的薄层；以及

d）使所述第一官能团和所述第二官能团彼此化学键合。

2.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，进一步包括：

在步骤d）后分离所述第一基底。

3.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，所述第一基底或所述第二基底包括选自玻璃、硅片、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚酯、聚苯乙烯和聚氨酯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤a）的基于氟的聚合物薄膜包含包括选自四氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯、偏二氟乙烯和氟乙烯中的一种或多种的单一聚合物或共聚物，或它们的混合物。

5.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤a）的基于氟的聚合物薄膜包含聚四氟乙烯(PTFE)。

6.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤a）的基于氟的聚合物薄膜使用热丝CVD法形成。

7.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤b）的第一官能团或步骤c）的第二官能团包含选自羧酸基、磺酸基、氨基、环氧基、羟基、酰胺基、磷酸基和亚胺基中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤b）的第一官能团或步骤c）的第二官能团包含选自氨基和环氧基中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤b）的包含第一官能团的薄层为聚甲基丙烯酸缩水甘油酯(PGMA)薄层。

10.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤c）的包含第二官能团的薄层为通过进行氨基硅烷处理形成的包含氨基的薄层。

11.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤d）的化学键是选自共价键、氢键、离子键和范德华键中的一种或多种化学键。

12.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤d）在150℃或低于150℃下进行。

13.根据权利要求1所述的制备基于氟的聚合物薄膜的方法，其中，步骤d）的化学键包含氨基-环氧基键。

14.一种多层膜，其包括：

由根据权利要求1至13中的任意一项的制备方法制备的基于氟的聚合物薄膜。

15.一种多层膜，其包括：

基底；

基于氟的聚合物薄膜，以及

在所述基底和基于氟的聚合物薄膜之间的粘合层，该粘合层包含由下面化学式1表示的二价官能团：

[化学式1]

16.根据权利要求15所述的多层膜，其中，所述粘合层由聚甲基丙烯酸缩水甘油酯和氨基硅烷的键合而形成。