[发明专利]透明导电性膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201180033559.9 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102985898A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 田仲拓郎;中川泰彦;饭塚洋介;大熊康之;山广干夫 | 申请（专利权）人： | 捷恩智株式会社 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;B32B7/02;B32B9/00;B32B15/08;B32B27/18;C23C14/06;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京千代*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种透明导电体层之图案形状并不醒目、辨识度良好之多层结构之透明导电性膜。该膜具备：由膜状高分子树脂而形成的透明基材11；于基材11上所积层的第1硬涂层12；于第1硬涂层12上视需要而积层的第1透明介电质层13；于第1透明介电质层13上所积层的第1透明导电体层14。基材11具有2μm～250μm的膜厚。第1硬涂层12由含有无机氧化物的硬化性树脂而形成，具有1.40～1.90的折射率及0.5μm～6μm的膜厚。第1透明介电质层13由无机物而形成，具有1.30～1.50的折射率及10nm～50nm的膜厚。第1透明导电体层14由选自由无机氧化物、金属、碳所构成的群组的至少1种而形成，进行了图案化且具有10nm～2μm的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性膜，包括：透明基材，由膜状的高分子树脂而形成；第1硬涂层，积层于所述基材的其中一个面上；第1透明介电质层，视需要而积层于所述第1硬涂层的与所述基材侧为相反侧的面上；以及第1透明导电体层，积层于所述第1透明介电质层的与所述第1硬涂层侧为相反侧的面上；所述基材具有2μm～250μm的膜厚，所述第1硬涂层由含有无机氧化物的硬化性树脂而形成，具有1.40～1.90的折射率及0.5μm～6μm的膜厚，所述第1透明介电质层由无机物而形成，具有1.30～1.50的折射率及10nm～50nm的膜厚，所述第1透明导电体层由选自由无机氧化物、金属、碳所构成的群组的至少1种而形成，进行了图案化且具有10nm～2μm的膜厚。
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