[发明专利]透明导电性膜及其制造方法有效
| 申请号: | 201180033559.9 | 申请日: | 2011-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN102985898A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
| 发明(设计)人: | 田仲拓郎;中川泰彦;饭塚洋介;大熊康之;山广干夫 | 申请(专利权)人: | 捷恩智株式会社 |
| 主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;B32B7/02;B32B9/00;B32B15/08;B32B27/18;C23C14/06;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本东京千代*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透明 导电性 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种透明导电性膜,尤其涉及一种于由透明塑胶膜所形成的基材上依序积层折射率经控制的硬涂层、透明介电质层、透明导电体层而成的透明导电性膜及其制造方法。
背景技术
于透明的塑胶膜的基材上积层有透明且导电性的薄膜的透明导电性膜,于利用其导电性的用途,例如液晶显示器的类的平面显示器(flat-panel)、或者智能手机(smartphone)或汽车导航(car navigation)及数位相机(digital camera)等中所搭载的触控面板中广泛使用。
于触控面板中,根据位置检测方式而具有光学式、超音波式、电磁感应式、静电容式、电阻膜式等。电阻膜式的触控面板成为透明导电性膜与积层有透明导电体层(氧化铟锡(以下略记为“ITO”))的玻璃介隔点隔片(dot spacer)而对向的结构。藉由按压透明导电性膜,对向玻璃基板上的透明导电体层(ITO)与具有透明导电性膜的透明导电体层(ITO)于无点隔片的点导通而决定位置。因此,点隔片或ITO的强度降低而造成寿命成为问题。另一方面,静电容式的触控面板于基材上具有进行了图案化的透明导电体层,藉由以手指等进行触摸,检测出手指所具有的静电容,于触摸的设置点与图案化的透明导电体层的电阻值产生变化,正确地检测出2维的位置信息。由于该结构,特征是无可动部分,且可靠性高、寿命高,透明度等光学特征优异。
如上所述,于触控面板中,为了检测出输入位置,存在对透明导电性膜的透明导电体层等进行规定的图案化的情形。然而,由于图案化而使图案部(具有透明导电体层等的部分)与非图案部(除去了透明导电体层等的图案开口部分)的光学特性变明确,从而存在作为显示元件而言美观变差之虞。特别是于静电容式触控面板中,透明导电体层形成于显示部的前面,因此即使于对透明导电体层进行图案化(patterning)的情形时亦要求美观性良好。
作为先前的透明导电性膜,存在有如下的透明导电性膜,所述透明导电性膜具有:导电层形成膜;导电层;于导电层形成膜与导电层之间所形成的由金属氧化物所构成的底涂层(具有导电性者除外);于所述底涂层与导电层形成膜之间所形成的由所述金属氧化物中所含的单一金属元素或包含所述金属氧化物中所含的至少1种的2种以上的金属元素的合金所构成的金属层(日本专利特开2003-197035号公报、段落0007)。作为具体例,揭示了于PET膜的单侧的面顺次积层有厚度为1nm的硅层、厚度为60nm的氧化锌-氧化锡层、厚度为45nm的氧化硅层、其次为厚度为30nm的ITO层的构成(例如参照专利文献1)。
而且,作为其他透明导电性膜,存在有如下的透明导电性膜,所述透明导电性膜是于透明塑胶膜的一个面上至少设置有高折射率层与低折射率层与透明导电性层的透明导电性膜,且于透明塑胶膜的另一个面上设置有硬涂层,于透明塑胶膜与高折射率层之间设置有硬涂层(例如参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献1:日本专利特开2003-197035号公报
专利文献2:日本专利特开平11-286066号公报
发明内容
然而,于将该些透明导电性膜用于静电容式触控面板的情形时,存在有如下的异常:若对导电层(透明导电性层)进行图案化,则导电层的图案的形状变醒目。
因此,本发明的课题在于提供一种作为导电层的透明导电体层的图案形状并不醒目、辨识度良好的多层结构的透明导电性膜及其制造方法。
本发明者等人为了解决上述问题而进行了锐意研究。其结果发现藉由于透明导电性膜的硬涂层、透明介电质层、透明导电体层中使各层的厚度(膜厚)或折射率最佳化,可抑制图案部与非图案部的光学特性之差,从而完成本发明。
本发明的第1实施方式的透明导电性膜例如如图1所示那样具备:由膜状的高分子树脂所形成的透明基材11;于基材11的其中一个面所积层的第1硬涂层12;于第1硬涂层12的与基材11侧为相反侧的面所积层的第1透明介电质层13;于第1透明介电质层13的与第1硬涂层12侧为相反侧的面所积层的第1透明导电体层14。基材11具有2μm~250μm的膜厚。第1硬涂层12由含有无机氧化物的硬化性树脂而形成,具有1.40~1.90的折射率及0.5μm~6μm的膜厚。第1透明介电质层13由无机物而形成,具有1.30~1.50的折射率及10nm~50nm的膜厚。视需要而积层第1透明介电质层13。第1透明导电体层14由选自由无机氧化物、金属、碳所构成的群组的至少1种而形成,进行了图案化且具有10nm~2μm的膜厚。
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