[发明专利]透明导电性膜及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电性膜，包括：

透明基材，由膜状的高分子树脂而形成；

第1硬涂层，积层于所述基材的其中一个面上；

第1透明介电质层，视需要而积层于所述第1硬涂层的与所述基材侧为相反侧的面上；以及

第1透明导电体层，积层于所述第1透明介电质层的与所述第1硬涂层侧为相反侧的面上；

所述基材具有2μm～250μm的膜厚，

所述第1硬涂层由含有无机氧化物的硬化性树脂而形成，具有1.40～1.90的折射率及0.5μm～6μm的膜厚，

所述第1透明介电质层由无机物而形成，具有1.30～1.50的折射率及10nm～50nm的膜厚，

所述第1透明导电体层由选自由无机氧化物、金属、碳所构成的群组的至少1种而形成，进行了图案化且具有10nm～2μm的膜厚。

2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其中所述基材由选自由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、三乙酸纤维素、及聚碳酸酯所构成的群组的至少1种而形成，

形成所述第1硬涂层的硬化性树脂是紫外线硬化性树脂，

视需要而积层的所述第1透明介电质层由氧化硅(SiO₂)而形成，

所述第1透明导电体层由选自由氧化铟锡、氧化铟锌、镓添加氧化锌、铝添加氧化锌、银、铜、碳所构成的群组的至少1种而形成。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，还包括：

第2硬涂层，积层于所述基材的另一个面上，

所述第2硬涂层由硬化性树脂而形成。

4.根据权利要求3所述的透明导电性膜，其中所述第2硬涂层由与所述第1硬涂层相同的无机氧化物及硬化性树脂而形成。

5.根据权利要求4所述的透明导电性膜，还包括：

第2透明介电质层，视需要而积层于所述第2硬涂层的与所述基材侧为相反侧的面；

第2透明导电体层，积层于所述第2透明介电质层的与所述第2硬涂层侧为相反侧的面；

所述第2硬涂层具有1.40～1.90的折射率及0.5μm～6μm的膜厚，

视需要而积层的所述第2透明介电质层由无机物而形成，具有1.30～1.50的折射率及10nm～50nm的膜厚，

所述第2透明导电体层由选自由无机氧化物、金属、碳所构成的群组的至少1种而形成，进行了图案化且具有10nm～2μm的膜厚。

6.一种影像显示装置；包括：

触控面板，具有如权利要求1-5中任一项所述的透明导电性膜；

影像面板，设置于所述透明导电性膜的与第1硬涂层相反的侧。

7.一种透明导电性膜的制造方法，包括：

藉由湿式涂布法，于由膜状高分子树脂所形成的透明基材的其中一个面，积层硬涂层的步骤；

视需要于所述硬涂层的与所述基材侧为相反侧的面积层透明介电质层的步骤；

于所述透明介电质层的与所述硬涂层侧为相反侧的面积层透明导电体层的步骤；

对所述透明导电体层进行图案化的步骤；

所述基材具有2μm～250μm的膜厚，

所述硬涂层由含有无机氧化物的硬化性树脂而形成，具有1.40～1.90的折射率及0.5μm～6μm的膜厚，

视需要而积层的所述透明介电质层由无机物而形成，具有1.30～1.50的折射率及10nm～50nm的膜厚，

所述透明导电体层由无机氧化物而形成，具有10nm～2μm的膜厚。