[发明专利]背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201180031967.0 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102971859A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 伊坂隆行 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种背面电极型太阳能电池及其制造方法。该背面电极型太阳能电池（1，14）具有：第一导电型硅基板（4）、设置于与硅基板（4）的受光面相反一侧的面即背面的第一导电型用电极（2）及第二导电型用电极（3）、设置于硅基板（4）背面的第一导电型杂质扩散层（9）及第二导电型杂质扩散层（10），第一导电型杂质扩散层（9）与第二导电型杂质扩散层（10）相邻设置，在硅基板（4）背面的外周边缘设有第一导电型杂质扩散层（9）。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 电极 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背面电极型太阳能电池（1，14），其特征在于，具有：第一导电型硅基板（4）、设置在与所述硅基板（4）的受光面相反一侧的面即背面上的第一导电型用电极（2）和第二导电型用电极（3）、设置在所述硅基板（4）的所述背面上的第一导电型杂质扩散层（9）和第二导电型杂质扩散层（10），所述第一导电型杂质扩散层（9）与所述第二导电型杂质扩散层（10）相邻设置，在所述硅基板（4）的所述背面的外周边缘设有所述第一导电型杂质扩散层（9）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
