[发明专利]背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种背面电极型太阳能电池（1，14），其特征在于，具有：

第一导电型硅基板（4）、

设置在与所述硅基板（4）的受光面相反一侧的面即背面上的第一导电型用电极（2）和第二导电型用电极（3）、

设置在所述硅基板（4）的所述背面上的第一导电型杂质扩散层（9）和第二导电型杂质扩散层（10），

所述第一导电型杂质扩散层（9）与所述第二导电型杂质扩散层（10）相邻设置，

在所述硅基板（4）的所述背面的外周边缘设有所述第一导电型杂质扩散层（9）。

2.如权利要求1所述的背面电极型太阳能电池（1，14），其特征在于，在所述硅基板（4）的所述背面中，所述第一导电型杂质扩散层（9）的面积总和小于所述第二导电型杂质扩散层（10）的面积总和。

3.如权利要求1或2所述的背面电极型太阳能电池，其特征在于，所述第一导电型为n型。

4.如权利要求1至3中任一项所述的背面电极型太阳能电池（1，14），其特征在于，在所述硅基板（4）的受光面上设有受光面扩散层（11），该受光面扩散层（11）所含有的第一导电型杂质的浓度高于所述硅基板（4）所含有的第一导电型杂质的浓度。

5.如权利要求4所述的背面电极型太阳能电池，其特征在于，在所述受光面扩散层（11）上设有受光面钝化膜（6），

在所述受光面钝化膜（6）上设有防止反射膜（7），

所述防止反射膜（7）为含有第一导电型杂质的二氧化钛。

6.如权利要求5所述的背面电极型太阳能电池，其特征在于，所述受光面钝化膜（6）的膜厚为15nm~200nm。

7.如权利要求5或6所述的背面电极型太阳能电池，其特征在于，所述防止反射膜（7）所含有的杂质为磷氧化物，含有所述防止反射膜（7）的15质量%~35质量%。

8.如权利要求1至7中任一项所述的背面电极型太阳能电池（1，14），其特征在于，所述第二导电型杂质扩散层（10）被所述第一导电型杂质扩散层（9）包围。

9.如权利要求1至8中任一项所述的背面电极型太阳能电池（1，14），其特征在于，所述第二导电型杂质扩散层（10）形成为岛状。

10.如权利要求8或9所述的背面电极型太阳能电池，其特征在于，所述第一导电型杂质扩散层（9）形成一个扩散层区域。

11.一种背面电极型太阳能电池（1，14）的制造方法，其特征在于，包括：

在第一导电型硅基板（4）背面的一部分上形成第一导电型杂质扩散层（9）的工序；

在所述硅基板（4）的所述背面上，通过热氧化法形成氧化硅膜（24）的工序；

利用所述硅基板（4）的所述背面中形成有所述第一导电型杂质扩散层（9）的区域上的所述氧化硅膜（24）膜厚与未形成有所述第一导电型杂质扩散层（9）的区域上的所述氧化硅膜（24）膜厚的膜厚差，在所述硅基板（4）的所述背面上形成第二导电型杂质扩散层（10）的工序；

在所述第一导电型杂质扩散层（9）上形成第一导电型用电极（2）的工序；

在所述第二导电型杂质扩散层（10）上形成第二导电型用电极（3）的工序。

12.如权利要求11所述的背面电极型太阳能电池（1，14）的制造方法，其特征在于，在形成所述第二导电型杂质扩散层（10）的工序之前，还包括对所述氧化硅膜（24）的一部分进行蚀刻的工序。

13.如权利要求12所述的背面电极型太阳能电池（1，14）的制造方法，其特征在于，在对所述氧化硅膜（24）的一部分进行蚀刻的工序中，只在所述第一导电型杂质扩散层（9）上残留所述氧化硅膜（24）。

14.如权利要求13所述的背面电极型太阳能电池（1，14）的制造方法，其特征在于，只在所述第一导电型杂质扩散层（9）上残留的所述氧化硅膜（24）的膜厚为60nm以上。

15.如权利要求11至14中任一项所述的背面电极型太阳能电池（1，14）的制造方法，其特征在于，在形成所述第一导电型杂质扩散层（9）的工序中，所述第一导电型杂质扩散层（9）的第一导电型杂质浓度为5×10¹⁹个/cm³以上。