[发明专利]背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180031967.0 申请日: 2011-04-21
公开(公告)号: CN102971859A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 伊坂隆行 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 背面 电极 太阳能电池 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池的制造方法。

背景技术

近年来,特别从保护地球环境的观点出发,将太阳能直接转换为电能的太阳能电池作为新一代能源的期待急剧提高。作为太阳能电池,有使用化合物半导体或有机材料的太阳能电池等各种太阳能电池,但目前以使用硅晶的太阳能电池为主流。

目前,制造并销售最多的太阳能电池具有在太阳光射入侧的一面(受光侧)及与受光面相反侧的一面(背面)上分别形成有电极的结构。

在太阳能电池的受光面上形成电极的情况下,因为太阳光被电极吸收,所以,电极的形成面积使得向太阳能电池的受光面射入的太阳光的量减少。因此,开发了只在太阳能电池的背面上形成电极的背面电极型太阳能电池。

图8表示专利文献1(日本特表2008-532311号公报)所公开的现有背面电极型太阳能电池的剖面示意图。

在图8所示的现有背面电极型太阳能电池101的受光面上,形成有n型前面侧扩散区域106,从而形成FSF(Front Surface Field:前面场)结构。而且,背面电极型太阳能电池101的受光面为凹凸形状105,在凹凸形状105上,从n型硅晶片104侧依次形成有含有二氧化硅的介质钝化层108和含有氮化硅的防止反射涂层107。

而且,在n型硅晶片104的背面上交替形成有掺杂了n型杂质的n+区域110和掺杂了p型杂质的p+区域111,在n型硅晶片104的背面上形成有氧化物层109。然后,在n型硅晶片104背面的n+区域110上形成有n型用金属接点102,在p+区域111上形成有p型用金属接点103。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:(日本)特表2008-532311号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在串联或并联有多个背面电极型太阳能电池的背面电极型太阳能电池模块中,如果在工作时背面电极型太阳能电池模块的一部分出现未照射到太阳光的阴影,则因与其他背面电极型太阳能电池的关系而向出现阴影部分的背面电极型太阳能电池施加反向偏置电压。

此时,如专利文献1所述,在背面电极型太阳能电池101背面的外周边缘形成有与n型硅晶片104的导电型不同的导电型区域即p+区域的情况下,当向背面电极型太阳能电池101施加反向偏置电压时,通过其外周边缘易于产生漏电流。

本发明是鉴于上述课题而提出的,目的在于提供能够在施加有反向偏置电压时抑制产生漏电流的背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池的制造方法。

本发明为一种背面电极型太阳能电池,其具有:第一导电型硅基板、设置于与硅基板的受光面相反一侧的面即背面的第一导电型用电极和第二导电型用电极、设置于硅基板背面的第一导电型杂质扩散层和第二导电型杂质扩散层,第一导电型杂质扩散层与第二导电型杂质扩散层相邻设置,在硅基板背面的外周边缘设有第一导电型杂质扩散层。

在此,在本发明的背面电极型太阳能电池中,在硅基板背面中,第一导电型杂质扩散层的面积总和优选小于第二导电型杂质扩散层的面积总和。

而且,在本发明的背面电极型太阳能电池中,第一导电型优选为n型。

而且,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选在硅基板的受光面上设有受光面扩散层,该受光面扩散层所含有的第一导电型杂质的浓度高于硅基板所含有的第一导电型杂质的浓度。

而且,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选在受光面扩散层上设有受光面钝化膜,在受光面钝化膜上设有防止反射膜,防止反射膜是含有第一导电型杂质的二氧化钛。

而且,在本发明的背面电极型太阳能电池中,优选受光面钝化膜的膜厚为15nm~200nm。

而且,在本发明的背面电极型太阳能电池中,防止反射膜中所含有的杂质优选为磷氧化物,该磷氧化物含有防止反射膜的15质量%~35质量%。

而且,在本发明的背面电极型太阳能电池中,第二导电型杂质扩散层优选被第一导电型杂质扩散层包围。

而且,在本发明的背面电极型太阳能电池中,第二导电型杂质扩散层优选形成为岛状。

在此,在本发明的背面电极型太阳能电池中,第一导电型杂质扩散层优选形成一个扩散层区域。

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